[实用新型]像素结构有效

专利信息
申请号: 201020135188.8 申请日: 2010-03-19
公开(公告)号: CN201876642U 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 刘梦骐;陈立宣 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/02;G09G3/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 孙长龙
地址: 215217 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,设置于一基板上,该基板具有阵列排列的多个像素区域,且该像素结构设置于各该像素区域中,其特征在于,该像素结构包括:

一扫描线及一栅级,设置于各该像素区域中;

一栅绝缘层,覆盖该扫描线与该栅级;

一半导体层,设置于该栅级上方的该栅绝缘层上;

一数据线、一源极与一漏极,设置于各该像素区域中,而该源极与该漏极设置于该半导体层的两侧;

一第一保护层,覆盖该数据线、该源极与该漏极;

一共享线,设置于该第一保护层上,且至少与该数据线部份重迭;

一共享电极,设置于该共享线上且与该共享线电性连接;

一第二保护层,覆盖该共享电极与该共享线,其中该漏极上方的该第二保护层中具有一接触窗开口;以及

一像素电极,设置于各该像素区域中,该像素电极藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该共享线环绕于各该像素区域的周围。

3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该共享线环绕于各该像素区域的部分周围,且与该扫描线重迭、部份重迭或不重迭。

4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该接触窗开口形成于该漏极上方的该第一保护层中。

5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该像素电极具有多个狭缝。

6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该共享线的材料包括铬或钼。

7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该共享电极的材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。 

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