[实用新型]像素结构

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种具有高开口率及良好显示质量的像素结构。

背景技术

液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管成为新一代显示器的主流。传统的液晶面板是由彩色滤光基板、薄膜晶体管阵列基板以及设置于此两基板间的液晶层所构成。为了提升液晶面板的显示质量，许多针对液晶面板中的像素结构的布局设计陆续被提出。

图1为公知一种像素结构的上视示意图。请参照图1，基板101具有阵列排列的多个像素区域102，而像素结构100设置于各像素区域102中。此处仅绘示单个像素区域102以便于说明。像素结构100包括扫描线110及栅极112、漏极延伸部136与共享电极114、116、半导体层122、数据线130、源极132与漏极134以及像素电极150。

像素结构100是一种利用公知的五道光罩制程所形成的薄膜晶体管像素结构。公知的五道光罩制程包括：形成扫描线110及栅极112与共享电极114、116的第一道光罩制程；形成半导体层122的第二道光罩制程；形成数据线130、源极132、漏极延伸部136与漏极134的第三道光罩制程；形成漏极134上方或在漏极延伸部136上方的接触窗开口CH的第四道光罩制程；以及形成像素电极150的第五道光罩制程。

在像素结构100中，由于扫描线110、数据线130、构成薄膜晶体管的栅级112、源极132、漏极134与漏极延伸部136，以及共享电极114、116等元件是由不透光的金属层所构成，因此像素结构100的开口率会受到这些不透光的金属层所影响而降低。特别是，共享电极114、116的设置虽可增加像素结构100中的储存电容，但共享电极114、116在各个像素区域中所占的面积越大，即意味着像素结构100的开口率越低。

当像素结构100应用于高分辨率的可携式液晶显示装置时，诸如应用于2.4英寸QVGA(四分之一视讯图形阵列)320×240像素的液晶面板，由于每个像素区域102所占的空间变小，因此像素结构100的开口率约仅有53％，低于一般的电视或监视器的开口率。如此一来，势必要增加显示装置中光源的亮度以维持像素结构100的显示亮度，而造成能源的浪费。

此外，由于像素结构100的共享电极114与扫描线110是同时形成于基板101上，因此当共享电极114与扫描线110的距离接近时，共享电极114与扫描线110之间容易发生短路而使得产品的良率下降。

实用新型内容

本实用新型提供一种像素结构，其具有较高的开口率以及良好的显示质量。

本实用新型提出一种像素结构，设置于基板上，基板具有阵列排列的多个像素区域，且像素结构设置于各像素区域中。像素结构包括扫描线、栅级、栅绝缘层、半导体层、数据线、源极与漏极、第一保护层、共享线、共享电极、第二保护层以及像素电极。扫描线及栅极设置于各像素区域中。栅绝缘层覆盖扫描线与栅级。半导体层设置于栅级上方的栅绝缘层上。数据线、源极与漏极设置于各像素区域中，而源极与漏极设置于半导体层的两侧。第一保护层覆盖数据线、源极与漏极。共享线设置于第一保护层上，且至少与数据线部份重迭。共享电极设置于共享线上且与共享线电性连接。第二保护层覆盖共享电极与共享线，其中漏极上方的第二保护层中具有接触窗开口。像素电极设置于各像素区域中，像素电极藉由接触窗开口与漏极电性连接。

在本实用新型的一实施例中，上述的共享线环绕于各像素区域的周围。

在本实用新型的一实施例中，上述的共享线环绕于各像素区域的部分周围，其与扫描线重迭、部份重迭或不重迭。

在本实用新型的一实施例中，上述的接触窗开口形成于漏极上方的第一保护层中。

在本实用新型的一实施例中，上述的像素电极具有多个狭缝。

在本实用新型的一实施例中，上述的共享线的材料包括铬或钼。

在本实用新型的一实施例中，上述的共享电极的材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。

在本实用新型的一实施例中，上述的扫描线与栅级的材料包括铬、钼、铝或上述的合金。

在本实用新型的一实施例中，上述的栅绝缘层的材料包括氮化硅或氧化硅。

在本实用新型的一实施例中，上述的第一保护层的材料包括氮化硅或氧化硅。

在本实用新型的一实施例中，上述的半导体层的材料包括非晶硅或结晶硅。

在本实用新型的一实施例中，上述的数据线、源极与漏极的材料包括铬、钼、铝或上述的合金。