[实用新型]一种压阻传感器芯片

权利要求书

1.一种压阻传感器芯片，其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述多晶硅膜的下表面与所述所述衬底硅的上表面封闭后其中间形成一个真空腔。

3.根据权利要求1所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述底层的多晶硅膜开有贯通的腐蚀孔，所述腐蚀孔内充满和所述上层氧化层相同的物质。

4.根据权利要求1所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述力敏电阻具体为涂布于所述上层氧化层的多晶硅膜层经干法刻蚀而成的力敏电阻条。

5.根据权利要求2所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述真空腔对应的压力膜层位置具体分为膜区、梁区，所述梁区横向布置于所述真空腔上部的中心位置，所述膜区对称布置于所述梁区的纵向两侧。

6.根据权利要求5所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述膜区低于所述梁区，所述膜区的底层多晶硅膜外露，所述梁区包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层、涂布于所述上层氧化层上的氮化硅层。

7.根据权利要求4或6所述的一种压阻传感器芯片，其特征在于：所述力敏电阻条对称布置于所述梁区横向中心线两侧，所述力敏电阻条的上层涂布有所述氮化硅层，所述金属引线通过引线孔连通所述力敏电阻条。