[实用新型]一种MEMS压力敏感芯片有效
| 申请号： | 201020166950.9 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN201716136U | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾朝瑞 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力 敏感 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于：所述硅片的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件。
3.根据权利要求1或2所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于：所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P+连接、金属引线。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于：所述MEMS压力敏感芯片为MEMS相对压力敏感芯片，所述相对压力敏感芯片其通气孔贯穿所述衬底硅片。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS压力敏感芯片，其特征在于：所述通气孔位于所述浅槽的中心位置。
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