[实用新型]一种MEMS压力敏感芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子机械系统（MEMS）压力传感器领域，具体为一种MEMS压力敏感芯片。

背景技术

基于微电子机械系统（MEMS）的微机械敏感器件以其体积小、成本低、结构简单、可与处理电路集成等优点得到广泛应用和迅速发展。

MEMS压力传感器，是微电子机械系统（MEMS）中最早的商业产品，由于MEMS压力敏感芯片具有输出信号大、信号处理简单等优点，已经得到了越来越广泛的应用，目前市场上的MEMS压力敏感芯片，其包括MEMS相对压力敏感芯片、MEMS绝对压力敏感芯片，其中MEMS绝对压力敏感芯片以真空做为基准，传感器内封装了一个真空腔，以这个真空腔里的真空为基准；MEMS相对压力敏感芯片底部的空腔可连通有一定压力的的接口，将该有一定压力的接口作为基准。

目前压力敏感芯片主要采用硅-玻璃键合的芯片，然而由于硅和玻璃的膨胀系数不匹配，受压力时其变形量不同，易造成压力敏感芯片的不稳定，从而导致其误差大、精度低。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种MEMS压力敏感芯片,其能有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。

其技术方案是这样的：

一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO₂）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。

其进一步特征在于：

所述硅片的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；

所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P⁺连接、金属引线；

所述MEMS压力敏感芯片为MEMS相对压力敏感芯片，所述相对压力敏感芯片其通气孔贯穿所述衬底硅片；

所述通气孔位于所述浅槽的中心位置。

在本实用新型中，由于硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面，故上层硅片和底部的衬底硅片的材质均为硅，受力时，由于其膨胀系数相同，进而其变形量相同，故其能有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。

附图说明

图1是MEMS绝对压力敏感芯片主视图的结构示意图，

图2是MEMS相对压力敏感芯片主视图的结构示意图。

具体实施方式

具体实施例一：MEMS绝对压力敏感芯片

其结构见图1：其包括硅片1、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件（属于现有成熟技术，图中未画出），基底具体为衬底硅片2，衬底硅片2的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽3，衬底硅片2的上表面为SiO₂的氧化层4，硅片1的底面键合于衬底硅片2的上表面；硅片1正面依次涂布有二氧化硅（SiO₂）的氧化层9和氮化硅层10，硅片1的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；敏感电阻排布区内包括压敏电阻5、P⁺连接6、金属引线7。

具体实施例二：MEMS相对压力敏感芯片

其结构见图2：其包括硅片1、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件（属于现有成熟技术，图中未画出），基底具体为衬底硅片2，衬底硅片2的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽3，衬底硅片2的上表面为SiO₂的氧化层4，硅片1的底面键合于衬底硅片2的上表面；硅片1正面依次涂布有二氧化硅（SiO₂）的氧化层9和氮化硅层10，硅片1的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件；敏感电阻排布区内包括压敏电阻5、P⁺连接6、金属引线7；通气孔8贯穿衬底硅片2；通气孔8位于浅槽3的中心位置。