[实用新型]用于化学气相淀积反应室的紧固组件

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，尤其涉及一种用于化学气相淀积反应室的紧固组件。

背景技术

光刻掩膜技术的进步已经促进了特大规模/超大规模集成电路的制造。随着电路尺寸的不断缩小，也开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。在20世纪60年代，二极管器件已经采用了化学气相淀积技术完成的双层结构，即外延层和顶部二氧化硅钝化层。而早期的MOS器件经有一层钝化层。到20实际90年代，先进的MOS器件具有4层金属内部连接，需要许多淀积层。这些增加的层在器件/电路结构中起着各种不同的作用。主要是淀积掺杂的硅层，称为外延层、金属见的绝缘介质层(IMD)、金属间的导线连线、金属导体层和最后的钝化层。薄膜层的淀积主要采用两种方法：化学气相淀积CVD和物理气相淀积(PVD)。

化学气相淀积(CVD，Chemical Vapor Deposition)是半导体工业中应用最为广泛的用来淀积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，是指两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，淀积到晶片表面上。化学气相淀积如氧化是以循环的方式进行的。首先将晶片装载到反应室内，装载过程通常是在惰性气体的环境下进行的。然后，晶片被加热到预定的温度，将反应气体引入到淀积薄膜的反应室内进行反应。最后，将参与反应的化学气体排出反应室，移出晶片。

现有的化学气相淀积反应室如图1所示，反应室周壁3与气源箱底板2的连接是通过若干螺栓1来连接。当需要进行定期的维护保养时，需要拧开螺栓，将气源箱和反应室分开，以便于清洗和保养。而保养结束后就需要将气源箱和反应室通过螺栓重新连接。但是经常会出现这样的情况，保养前和保养后，气源箱底板的位置出现上下浮动即出现如图1所示的⊿Z距离的位置偏差。另外，由于螺栓在使用过程中会有松动，而且各个螺栓的松动情况不同，且松动后又不易被人察觉。一旦出现上述情况，即气源箱与反应室的连接位置与设定位置出现偏差，就会引起固定设置在气源箱底板下方的盘面型喷头出现升降或倾斜等偏离原始设定位置的情况，而喷头的微小倾斜或移位，将使得各个晶片的化学气相淀积反应的工艺发生较大偏差，引起产品性能的降低和产品合格率的下降。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于化学气相淀积反应室的紧固组件，不仅结构简单、使用方便，利用螺栓上指针转动的圈数和所指刻度来确定各螺栓的松紧度，从而使得气源箱和反应室的连接位置保持不变。

一种用于化学气相淀积反应室的紧固组件，包括若干用于连接反应室周壁和气源箱底板的螺栓，所述螺栓和气源箱底板之间设有一隔离板，所述隔离板上设置有圆周刻度，所述螺栓设有与所述圆周刻度相对应的指针。

在上述的用于化学气相淀积反应室的紧固组件中，所述隔离板与气源箱底板相接触的面上分别设有相互配合的凸起和凹槽。

在上述的用于化学气相淀积反应室的紧固组件中，所述螺栓为六个。

在上述的用于化学气相淀积反应室的紧固组件中，所述圆周刻度是36等分刻度盘。

在上述的用于化学气相淀积反应室的紧固组件中，所述螺栓与所述隔离板之间设有一垫圈。

本实用新型的用于化学气相淀积反应室的紧固组件，由于在隔离板上设置圆周刻度，且在所述螺栓的螺帽顶面上设置与所述圆周刻度相对应的指针，因而，可以利用指针转动的圈数和所指刻度来确定每个螺栓的松紧度，从而使得每次保养前后，螺栓的松紧度始终保持相同，进而使得气源箱和反应室的连接位置始终保持不变。同时，在使用过程中，一旦某个螺栓出现松动情况，操作人员可以根据指针读数判断螺栓是否松动，据此可以立即将偏离设定位置的螺栓拧回到设定位置，从而避免了由于各个螺栓松紧度不同而引起气源箱底板的倾斜。进而可以保证固设于气源箱底板下的喷头位置不发生位移及倾斜，避免了由于喷头出现的微小位移而使得各晶片的化学气相淀积工艺出现很大偏差。因而，本实用新型有效提高了各晶片的化学气相淀积工艺的稳定性，进而，有效提高了晶片的合格率，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

本实用新型的用于化学气相淀积反应室的紧固组件由以下的实施例及附图给出。

图1是螺栓松紧度不同对反应室的影响示意图；

图2是本实用新型用于化学气相淀积反应室的紧固组件的使用状态示意图；

图3是隔离板的结构示意图；

图4是图3的A-A剖视图；

图5是本实用新型的螺栓与隔离板装配示意图；