[实用新型]芯片外观检测装置无效

专利信息
申请号: 201020198548.9 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN201724908U 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 汪秉龙;陈桂标 申请(专利权)人: 久元电子股份有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/95;G01B11/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 外观 检测 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种检测装置,尤其涉及一种芯片外观检测装置。

背景技术

芯片的不良率降低及产量提高为目前业界所相互竞争的指标,但是整体的仍有3%的不良率,在电子芯片制造上大致会有“黄光区”、“沉积区”、“扩散区”、“注入区”、“切割区”及“测试区”等各流程,这些不良率可能来自于上述工艺的任何一区,而这些不良芯片可能有刮伤或扩散不完全等特点,所以在色泽上会与良好的芯片有少许的不同,经由人工目视的方式将不良芯片点上墨水辨识,再将那些不良的芯片从整片晶片中挑出剃除,这挑出不良芯片的工作非常浪费时间且没有效率的,而且使用墨水又会造成环境污染及成本浪费,因为业者本身无法精确控制一晶片上会有多少不良芯片或是那些是不良芯片的区域,这些缺点造成了在工艺成本上不少的浪费,所以在改善产品良率的同时,如何得知不良芯片的数量及不良芯片的区域是现在业界亟待解决的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题,在于提供一种芯片外观检测装置。本实用新型除了可免除人工作业及墨水浪费外,更能通过电脑以计算出不良发光二极管芯片的数量及区域,进而使移除不良发光二极管芯片的工艺更为方便。

为了解决上述技术问题,根据本实用新型的其中一种方案,提供一种芯片外观检测装置,其用以检测一晶片上的不良发光二极管芯片的数量及位置,该晶片由多个发光二极管芯片所组成,且该晶片放置在一检测平台上进行检测,其中该芯片外观检测装置,包括:一分光镜,其设置于该检测平台及该晶片的上方;一可随着所述发光二极管芯片的类型来调整发光波长的第一光源,其设置于该分光镜的一侧旁;一第二光源,其设置在该检测平台内及该晶片的下方;一滤光片,其设置于该分光镜的上方;一图像感测元件,其设置于该滤光片的上方;以及一用以计算出不良发光二极管芯片数据的计算装置,其电连接于该图像感测元件,其中该不良发光二极管芯片数据包括不良发光二极管芯片的数量及不良发光二极管芯片的位置。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型除了可免除人工作业及墨水浪费以使得制造成本降低及效率提高外,更能通过电脑以计算出不良发光二极管芯片的数量及区域,进而使移除不良发光二极管芯片的工艺更为方便。因此,通过得知不良发光二极管芯片的数量及区域,使制造发光二极管芯片过程中更能掌握造成不良发光二极管芯片的原因,进而使得发光二极管芯片的良率增加。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的主视示意图;

图2为本实用新型发光二极管芯片的正极焊垫与负极焊垫的俯视示意图;

图3为本实用新型第二实施例的主视示意图;

图4为本实用新型第三实施例的主视示意图;

图5为本实用新型第三实施例的环形光源的立体示意图;

图6为本实用新型第三实施例的部分放大示意图;

图7为本实用新型第三实施例使用外壳的剖面示意图;

图8为本实用新型第四实施例的主视示意图;

图9为本实用新型第五实施例的主视示意图;以及

图10为本实用新型第六实施例的主视示意图。

上述附图中的附图标记说明如下:

晶片            W        发光二极管芯片   d

正极焊垫        P

负极焊垫        N

侧边            S

检测平台        1        中空平台         10

穿孔            100

分光镜          2

第一光源        3        第一光束         L1

第二光束        L2

第三光束        L3

第四光束        L4

第五光束        L5

第六光束        L6

第七光束        L7

图像感测元件    4

第二光源        5        第一光束         L1′

环形光源        6        光源             60

发光二极管      600

第一光束        L1″

第二光束        L2″

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