[实用新型]多晶硅棒破碎设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及材料加工技术领域，更具体地说，特别涉及一种多晶硅棒破碎设备。 

背景技术

多晶硅是制备半导体器件和太阳能电池的原材料，是全球电子工业及光伏产业的基石。按照纯度和用途可以分为太阳能级多晶硅和电子级多晶硅。目前制备多晶硅的主要方法为改良西门子法，该法是用硅芯棒作发热和硅沉积载体，在1050～1150℃下通入三氯氢硅和氢气，三氯氢硅被氢气还原成硅并沉积在硅芯棒表面，形成多晶硅棒。为方便多晶硅棒的包装运输及制备硅锭和硅单晶，需要把多晶硅棒破碎成块状。通常方法是将多晶硅棒置于金属或者塑料操作台上，用硬质合金材质的锤或者凿、轧辊、钻等通过机械力来破碎，由于硅的莫氏硬度高达7.0，用硬质合金材料的锤打击多晶硅棒时，会造成与多晶硅棒接触的锤体受到磨损，造成对多晶硅棒的金属粒子污染，同时由于多晶硅棒和锤之间的强烈撞击会产生细硅粉，造成浪费。 

中国专利申请200810146324.0公开了一种多晶硅破碎锤，该破碎锤的打击部的圆周方向比较圆滑，不存在角部，因此打击时能够防止打击部的缺损，避免金属粒子对多晶硅棒的污染。同时在打击部上设有呈凸曲面的打击面，在打击多晶硅棒的结晶体时，打击面相对于结晶体的接触面较小，因此不会将多晶硅棒破碎的很细碎，能够抑制细硅粉的产生。虽然该破碎锤可以有效改善机械打击的破碎效果，但是该破碎锤破碎多晶硅棒仍是机械打击，在破碎多晶硅棒的过程中仍会产生杂质，对多晶硅棒造成杂质玷污。同时，该破碎锤依靠纯人力操作，劳动强度大，生产效率低，进而不适用于大规模生产。 

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多晶硅棒破碎设备，以解决现有技术依靠纯人力操作导致的杂质玷污以及操作人员劳动强度大，生产效率低，进而导致不适宜大规模生产的问题。 

本实用新型提供一种多晶硅棒破碎设备，包括： 

急冷装置； 

与所述急冷装置相连的加热装置，所述加热装置通过设在其内的传动机构将加热后的多晶硅棒传送到所述急冷装置内急速冷却。 

优选地，还包括：与所述加热装置相连的、控制所述加热装置温度的加热温度控制装置。 

优选地，还包括：与所述加热装置相连的、对所述加热装置内的气体置换的真空及惰性气体置换装置。 

优选地，还包括：与所述急冷装置相连的、控制所述急冷装置冷却速率的冷却速率控制装置。 

优选地，所述加热装置还包括： 

设有底盖的工作仓，所述工作仓内装有与传动机构相连的物料托盘，内壁上设有与所述加热温度控制装置相连的电发热体，内壁和外壁之间设有保温层； 

所述工作仓的底盖与传动机构相连，并且与所述物料托盘分别位于所述传动机构的两侧。 

优选地，所述真空及惰性气体置换装置包括： 

通过抽气阀与所述工作仓相连的抽空单元； 

分别与所述工作仓的两侧相连的充气阀和流通阀。 

优选地，所述急冷装置包括： 

内壁上装有风机的急冷仓； 

设在所述急冷仓外壁上的安全阀。 

优选地，所述冷却速率控制装置包括： 

与所述急冷仓相连的冷却速率控制单元； 

分别连接在所述急冷仓两侧的进水阀和出水阀。 

优选地，还包括：与传动机构相连的电机。 

优选地，还包括：与所述加热温度控制装置、所述抽空单元、所述冷却速率控制单元和所述电机相连的开/关控制装置。 

应用上述技术方案，多晶硅棒在加热装置中加热到预先设定在温度后， 通过加热装置中的传送机构将加热后的多晶硅棒送到与加热装置相连的急冷装置中，该急冷装置内有流动的冷却介质，冷却介质使多晶硅棒急速冷却，因此，多晶硅棒产生热应力而破碎。与现有技术相比，本技术方案解决了现有技术依靠纯人力操作导致的杂质玷污以及操作人员劳动强度大，生产效率低，进而不适用于大规模生产的问题。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型实施例提供的多晶硅棒破碎设备的结构示意图； 

图2为图1所示设备的组成示意图。 

具体实施方式