[实用新型]卧式多晶硅还原炉入料射流装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种射流装置，具体地说是涉及一种适用于卧式多晶硅还原炉入料的多管射流装置。

背景技术

传统的多晶硅还原反应炉通常都是采用立式还原炉，常用有18对棒，9对棒，它们的直径都小于1600mm，进气方向都是下进气，且喷嘴的角度很小。中国专利申请号200810204124.6公开了一种新型卧式多晶硅还原炉，其相比传统立式多晶硅还原炉具有容易扩大生产规模，缩短生产周期，节约生产成本，提高成品率和生产效率的优点。然而，由于卧式多晶硅还原炉的炉体的中心轴线沿水平方向置放，其进气方向是采用上进气，其结构和工作方式与传统的立式多晶硅还原炉都有较大的差别，因此亟需设计一种适合卧式多晶硅还原炉的入料射流装置。

发明内容

针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种适用于卧式多晶硅还原炉的入料射流装置，能够实现还原炉内气流载体的均匀分布。使还原炉反应优良，缩短沉积周期。

本实用新型所采取的技术方案是：

提供一种卧式多晶硅还原炉入料射流装置，包括与原料气进气管相连接的伞塔，与伞塔出口相连接的均孔喷盘，与均孔喷盘出口相连接的角度喷盘，笼罩在角度喷盘喷出方向外侧的风帽。

其中，所述伞塔的喷射角为132°～138°，所述角度喷盘的喷射角为44°～47°，所述风帽的笼罩角度为115°～125°。

所述角度喷盘的出口处安装有风网。

所述伞塔的圆周内壁上开设有螺旋槽。

本实用新型的优点是：

如上述的结构，本实用新型卧式多晶硅还原炉入料射流装置，完全适应卧式多晶硅还原炉的使用需要，经过伞塔的原料气，由均孔喷盘和角度喷盘进行分布喷射入炉，实现气流以小气量多管式入炉，确保还原炉内气流网分布均匀、稳定。同时，入炉气态工艺设计采用了单喷嘴夹角132°～138°弱压网状喷射，喷射角度的设计是根据，气量、分压、气速、硅棒高度与筒壁的空间距离，在保证工艺参数及负面影响的情况下经过计算而得的，预防倒棒，有效保证沉积速度。射流装置的各个部分可以采用耐高温、拒腐蚀、高强度的材料(如：石墨)，更符合还原炉实用中的要求。

附图说明

图1是本实用新型卧式多晶硅还原炉入料射流装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步说明本实用新型的结构特征。

图1是本实用新型卧式多晶硅还原炉入料射流装置的结构示意图。如图1所示，本实用新型的入料射流装置，它包括与原料气进气管相连接的伞塔1，与伞塔1出口相连接的均孔喷盘2，与均孔喷盘2出口相连接的角度喷盘3，笼罩在角度喷盘3喷出方向外侧的风帽5。

在本实施例中，所述角度喷盘3的出口处安装有风网4，所述伞塔1的圆周内壁上开设有螺旋槽(图上未显示)。

工作时，原料气从原料气进气管进入伞塔1，通过伞塔1圆周内壁上开设的圆周螺旋槽进入均孔喷盘2，最后，由角度喷盘3经风网4喷至还原炉内进行反应，沉积多晶硅。

为了提升卧式多晶硅还原炉中入料射流装置的喷射效果，根据卧式多晶硅还原炉的结构和设计参数(如：气量、分压、气速、硅棒高度与筒壁的空间距离等)，在保证工艺参数及负面影响的情况下经过计算，入料射流装置设计参数为：所述伞塔的喷射角为132°～138°，所述角度喷盘的喷射角为44°～47°，所述风帽的笼罩角度为115°～125°。

在本实施例中，根据卧式多晶硅还原炉的结构参数，设定伞塔的喷射角为135°，角度喷盘的喷射角为47°，风帽的笼罩角度为120°。