[实用新型]一种避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩。

背景技术

物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺是半导体制造技术中最通用的工艺之一。该工艺在真空腔室中利用等离子体中的离子对靶进行轰击，使得靶材的粒子溅出，溅出的粒子沉积到晶圆上就形成了薄膜。这里的真空腔室称为PVD腔室。通常，PVD腔室中使用大功率源以产生等离子体，这就导致射频(RF)和热辐射容易从用于监测腔室情况的观察窗口(view port)泄漏。由此，需要设计用于罩住PVD腔室的观察窗口的保护罩，以避免射频和热辐射的泄漏。

图1为一种PVD腔室的观察窗口的示意图。如图1所示，观察窗口20通过一圈螺钉21固定在PVD腔室的腔体10上，且观察窗口20由透明材料制成。图2为现有技术的一种保护罩的结构示意图。图2中，保护罩30包括圆形平板31、固定脚32A、32B以及挂钩33。固定脚32A、32B垂直于圆形平板31所在平面延伸而形成，用于使得保护罩30罩住观察窗口20。挂钩33平行于圆形平板31所在平面延伸而形成，方便于安装和取下保护罩30。然而，现有的保护罩30与观察窗口20匹配得不够好，两者之间存在有较大的缝隙(gap)。这就导致射频和热辐射从缝隙处泄漏，从而对附近的其它腔室产生较大影响，如图3至图5所示。图3为对处于烘烤(bake out)状态的腔室采用现有保护罩时附近另一腔室的压力平均值的时间变化示意图，其中，横坐标为时间，单位为分(min)，纵坐标为腔室压力平均值，单位为毫托(mT)。图4为对处于预热(burn in)状态的腔室采用现有保护罩时附近另一腔室的晶圆背压平均值的时间变化示意图，其中，横坐标为时间，单位为分(min)，纵坐标为晶圆背压平均值，单位为毫托(mT)。图5为对处于预热状态的腔室采用现有保护罩时附近另一腔室的加热器(heater)的平均工作温度的时间变化示意图，其中，横坐标为时间，单位为分(min)，纵坐标为加热器平均工作温度，单位为摄氏度(℃)。从图3至图5可以看出，曲线波动较大，在某些时间点甚至出现了较大幅度的回落，这说明射频和热辐射的泄漏较严重。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩，以解决现有保护罩与PVD腔室的观察窗口之间存在较大缝隙而射频和热辐射从缝隙处泄漏的问题。

本实用新型提供一种避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩，所述保护罩用于罩住所述PVD腔室的观察窗口，其包括：第一卡持部，其包括第一上侧壁、第一下侧壁以及第一连接部，所述第一上侧壁中形成有多个开孔，所述第一上侧壁和所述第一下侧壁在交界处形成第一卡持线，所述第一连接部分别形成于所述第一上侧壁和所述第一下侧壁的两端；第二卡持部，其包括第二上侧壁、第二下侧壁以及第二连接部，所述第二上侧壁中形成有多个开孔，所述第二上侧壁和所述第二下侧壁在交界处形成第二卡持线，所述第二连接部分别形成于所述第二上侧壁和所述第二下侧壁的两端；被卡持板，其边缘卡持在所述第一卡持线和所述第二卡持线，其中，所述第一连接部和所述第二连接部配合使用以使得所述第一卡持部和所述第二卡持部连接成闭合状，所述第一卡持部与所述被卡持板活动连接。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述第二卡持部与所述被卡持板固定连接。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述第二卡持部与所述被卡持板活动连接。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述第一连接部为卡扣，所述第二连接部为卡槽。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述第一连接部为卡槽，所述第二连接部为卡扣。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述被卡持板为圆形。

在上述避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩中，所述保护罩的材料为不锈钢。

与现有技术相比，本实用新型提供的避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩，通过将被卡持板卡持在第一卡持部和第二卡持部之间，且第一卡持部和第二卡持部连接成闭合状，从而保护罩和PVD腔室的观察窗口能够较好地匹配，进而较好地避免射频和热辐射的泄漏。此外，由于第一卡持部和第二卡持部的上侧壁中形成有多个开孔，在PVD腔室处于烘烤状态时能够对腔室情况进行监测，而且，由于第一卡持部与被卡持板活动连接，在需要较大的监测视角时可以卸下该第一卡持部。

附图说明

图1为一种PVD腔室的观察窗口的示意图；