[实用新型]柔性透明电磁屏蔽膜有效
申请号: | 201020218350.2 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN201718163U | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 曾鸿斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市海森应用材料有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B32B15/04;B32B15/20;B32B27/06 |
代理公司: | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人: | 陈鸿荫;郭文姬 |
地址: | 518108 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 透明 电磁 屏蔽 | ||
技术领域 本实用新型涉及一种柔性透明电磁屏蔽膜,具体是指在透明的柔性基底上(例如PET聚酯膜),连续沉积Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5多层透明导电膜,形成高性能的电磁屏蔽膜。
背景技术 柔性透明电磁屏蔽膜广泛应用于LCD(液晶显示),PDP(等离子显示),电子仪器窗口及计算机房的信息防泄漏和干扰等。
现有技术中,柔性透明电磁屏蔽膜包括有以下几种,分别存在不足之处:一、柔性透明导电ITO膜,其价格昂贵,且屏蔽效果欠佳而应用上受到很大限制;二、ITO/Ag/ITO多层透明导电膜系,该导电膜尽管解决了屏蔽效果,但成本更高;三、TiO2/NiCr/Ag/NiCr/TiO2多层膜系,存在TiO2膜沉积速度慢,NiCr过渡层影响透光率等缺陷。
发明内容 本实用新型所解决的技术问题是:为避免现有技术的不足之处提出一种成本低、屏蔽效果好的柔性透明电磁屏蔽膜。
解决上述技术问题采用的技术方案如下:本实用新型柔性透明电磁屏蔽膜,包括PET基底层和电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层包括用卷绕镀膜方法,在所述PET基底层上依次连续磁控溅射沉积的Nb2O5层、Ag层、ZAO层以及Nb2O5层,Nb2O5层作为介质层,Ag层作为导电层,ZAO层作为过渡介质层。
所述电磁屏蔽层包括10-13层,其中Ag层不少于三层,底层和外层均是Nb2O5层。
所述Nb2O5底层和外层的厚度为28-35nm,Nb2O5中间层厚度为56-70nm,Ag层厚度为10-18nm,ZAO层厚度为3-5nm。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:降低了成本,提高了电磁屏蔽效果。
附图说明
图1是所述Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的3Ag多层膜系结构剖面图;
图2是所述Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的4Ag多层膜系结构剖面图。
具体实施方式
如图1所示,柔性透明电磁屏蔽膜是在透明的柔性基底PET膜1上,采用卷绕镀膜方法,连续磁控溅射沉积Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5多层膜,形成10-13层高性能的柔性透明电磁屏蔽膜。其中,Ag层3不少于3层。所述Nb2O5层2作为底层-中间层-外层的介质层,ZAO膜是作为Ag层3之前的过渡层介质膜,Ag层3是作为导电层。所述PET膜1是透光良好的光学级聚酯薄膜,其厚度根据需要选择50-125μm。Nb2O5层2是高折射率介质,是光学匹配层,底层2和表层11厚度为28-35nm,而中间层厚度为56-70nm。Nb2O5层2是采用中频磁控溅射沉积的,其溅射速率较高。Ag层3主要起导电作用,电磁屏蔽效果由它决定,膜越厚,污染越少,导电性越好,电磁屏蔽效果也越好;但膜太厚了透光率下降,反射增大,一般根据需要兼顾光电性能控制在10-18nm。ZAO层4是过渡层也是高折射率层,其作用是对Ag层3沉积过程其保护作用,避免氧气氛对Ag层3的污染,以形成良好的金属-介质界面,提高光学匹配和电磁屏蔽效果,厚度为3-5nm。Ag层3和ZAO层4均采用直流磁控溅射沉积。
图2是Nb2O5/Ag/ZAO/Nb2O5透明电磁屏蔽膜的4层Ag膜系结构。与图1所述实施例的3层Ag膜系结构不同之处在于:在3Ag膜系基础上增加了三层,即增加了Ag/ZAO/Nb2O5三层膜。在所述4层A膜系结构中,相应各层膜的厚度要求和制备方法都与图1所述实施例的3层Ag膜系结构相同。
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