[实用新型]TFT平板探测器无效
| 申请号： | 201020222814.7 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN201699015U | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 戴建平;燕树林;于红林;陈卫国 | 申请（专利权）人： | 戴建平;燕树林;于红林;陈卫国 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋;魏忠晖 |
| 地址： | 100070 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 平板 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种TFT平板探测器，包括采集读出电路，其特征在于：还包括覆盖在所述采集读出电路上的铅玻璃，所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层，所述晶体层上刻蚀有TFT电路和光电二极管电路，且光电二极管电路位于TFT电路的外侧。
2.一种TFT平板探测器，包括光电二极管电路和采集读出电路，其特征在于：所述光电二极管电路和采集读出电路之间设置有铅玻璃，所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层，所述晶体层上刻蚀有TFT电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
