[实用新型]TFT平板探测器无效
申请号: | 201020222814.7 | 申请日: | 2010-06-11 |
公开(公告)号: | CN201699015U | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 戴建平;燕树林;于红林;陈卫国 | 申请(专利权)人: | 戴建平;燕树林;于红林;陈卫国 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 刘洪勋;魏忠晖 |
地址: | 100070 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft 平板 探测器 | ||
技术领域
本实用新型涉及TFT平板探测器。
背景技术
TFT平板探测器,是采用薄膜晶体管(TFT)做开关元件,在其前端与非晶硅光电二极管相连组成大面积的传感器阵列,TFT的后部与外部读出电路连接,将光电二极管获取的模拟电信号输出。如图1中所示,为单个单元的信号采集原理图,当光照射PIN光电二极管时,所感生的电荷反应光照的信息,由TFT沟道的开关控制该信息的储存和读取,读取的模拟信号由后端的读出电路A形成数字信号输出。由于TFT可以制作成一个由各个小单元组成的大面积的矩阵电路,所以,各个单元配合上光电二极管后可以制造成一个大面积的平板探测器,可以广泛用于信号测量、图像采集等。
对于医用X射线平板探测器,是将TFT平板探测器的光电二极管的前面覆盖一层闪烁体,这样,当X射线照射到闪烁体上,闪烁体吸收X射线并将其转换为等比例的可见光,这些可见光被下面的光电二极管接收,按比例产生模拟电流电压信号,由TFT及后端的读出电路输出数字信号,形成照射到荧光体(闪烁体)上的X射线的影像。如图2中所示,为现有X射线探测器的结构示意图,自上而下依次为闪烁体1、光电二极管2、TFT电路板3、铅板4和采集读出电路5,其中,所述光电二极管和TFT元件是一体的,是印刷刻蚀在由玻璃基板上生长出的晶体上的,为了保护下面的采集读出电路 免受X射线损害,所述玻璃和采集读出电路之间贴覆铅板,即其最终结构自上而下依次为闪烁体、刻蚀有光电二极管和TFT电路板的玻璃基板、铅板以及采集读出电路。然而,由于铅板容易对所述采集读出电路造成损伤,而且,玻璃基板的机械强度差,往往导致产品的成品率较低。
实用新型内容
本实用新型克服了上述缺点,提供了一种结构简单、成品率高的TFT平板探测器。
本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是:一种TFT平板探测器,包括采集读出电路,还包括覆盖在所述采集读出电路上的铅玻璃,所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层,所述晶体层上刻蚀有TFT电路和光电二极管电路,且光电二极管电路位于TFT电路的外侧。
一种TFT平板探测器,包括光电二极管电路和采集读出电路,所述光电二极管电路和采集读出电路之间设置有铅玻璃,所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层,所述晶体层上刻蚀有TFT电路。
本实用新型采用铅玻璃作为基板,在所述铅玻璃上直接生长出的晶体上刻蚀有TFT电路或者同时刻蚀TFT电路和光电二极管电路,这样就不用再在平板电路的下面加覆铅板,从而增加了产品的机械强度,减少了由于覆盖铅板对电路的损伤,提高了产品的成品率。
附图说明
图1为现有TFT平板探测器信号采集原理图;
图2为现有X射线探测器的结构示意图;
图3为采用了实施例1的X射线探测器的结构示意图;
图4为采用了实施例2的X射线探测器的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:包括采集读出电路和覆盖在所述采集读出电路上的铅玻璃,所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层,所述晶体层上刻蚀有TFT电路和光电二极管电路,且光电二极管电路位于TFT电路的外侧。
如图3中所示,为采用了本实用新型TFT平板探测器的X射线探测器的结构示意图,自上而下依次为闪烁体1、刻蚀有光电二极管电路、TFT电路的晶体层33、铅玻璃34和采集读出电路5,当X射线照射到闪烁体1上,闪烁体1吸收X射线并将其转换为可见光,这些可见光被下面的晶体层33中的光电二极管电路331接收,产生模拟电流电压信号,再由TFT电路332的开关作用控制后端的采集读出电路5输出数字信号,由于铅玻璃具有良好的机械强度,又同时能够阻挡X射线对采集读出电路的损伤,不用再在平板电路的下面加覆铅板,从而增加了产品的机械强度,减少了由于覆盖铅板对电路的损伤,提高了产品的成品率。
实施例2:包括光电二极管电路和采集读出电路,所述光电二极管电路和采集读出电路之间设置有铅玻璃,所述铅玻璃的背向所述采集读出电路的一侧表面具有生长出的晶体层,所述晶体层上刻蚀有TFT电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于戴建平;燕树林;于红林;陈卫国,未经戴建平;燕树林;于红林;陈卫国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020222814.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车发电机整流器的塑料支架结构
- 下一篇:电源模块及电路板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的