[实用新型]一种硅片处理设备及其定位机构有效
申请号: | 201020231159.1 | 申请日: | 2010-06-18 |
公开(公告)号: | CN201804892U | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 吴晓松;陆杰;潘加永;何广春 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;孙丽梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 处理 设备 及其 定位 机构 | ||
1.一种定位机构,用于在太阳电池的制造过程中对传送机构所传送的硅片进行定位,所述传送机构包括顺次传送所述硅片的第一传送轨道和第二传送轨道,所述第一传送轨道与第二传送轨道垂直相接,其特征在于,所述定位机构包括:
多个定位挡块,其可移动地设置在所述第一传送轨道的传送方向上,用于在所述第一传送轨道的传送方向上定位所述硅片;
至少一个气缸,其构造为在所述硅片到位之前控制所述定位挡块移动至定位位置,并在所述硅片由所述定位挡块定位后控制所述定位挡块移动到与所述硅片分离的分离位置。
2.如权利要求1所述的定位机构,其特征在于,所述定位机构还包括:
底板,其平行于所述第一或第二传送轨道的传送方向设置,用于固定和/或连接所述定位挡块或所述气缸。
3.如权利要求2所述的定位机构,其特征在于:
所述底板设置于所述第一传送轨道的下方并平行于所述第一传送轨道的传送方向;
所述气缸包括沿所述底板的长度方向设置于所述底板上的多个升降气缸;
所述多个定位挡块与各个所述升降气缸的气缸轴连接,并在气缸的控制下在所述硅片到位之前依次从所述第一传送轨道的表面穿出,以依次定位在所述第一传送轨道上移动的硅片。
4.如权利要求3所述的定位机构,其特征在于,所述气缸还包括与所述底板的一侧连接的水平气缸,其构造为在所述硅片由所述定位挡块定位后,带动所述底板沿所述第一传送轨道的传送方向水平移动,从而使得所述定位挡块移动到与所述硅片分离的分离位置。
5.如权利要求2所述的定位机构,其特征在于:
所述底板设置于所述第二传送轨道的外侧并与所述第二传送轨道的传送方向平行;
所述定位挡块沿所述第二传送轨道的传送方向间隔设置于所述底板上;
所述气缸与所述底板连接,并构造为带动所述底板移动,从而在所述硅片到位之前控制所述定位挡块移动至定位位置并在所述硅片由所述定位挡块定位后控制所述定位挡块移动到与所述硅片分离的分离位置。
6.如权利要求1所述的定位机构,其特征在于,所述传送机构还包括设置在所述第一传送轨道与第二传送轨道的垂直相接处的交叉传送装置,所述交叉传送装置构造为将所述硅片从所述第一传送轨道传送到所述第二传送轨道,所述定位挡块靠近所述交叉传送装置而设置。
7.如权利要求1所述的定位机构,其特征在于,所述定位挡块的与所述硅片接触的一面为平面。
8.如权利要求1所述的定位机构,其特征在于,所述定位挡块由塑料制成。
9.如权利要求1所述的定位机构,其特征在于,所述定位挡块由高聚物制成。
10.一种制造太阳电池用的硅片处理设备,其特征在于,包括硅片传送机构及如权利要求1至9任一项所述的对传送机构所传送的硅片进行定位的定位机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的