[实用新型]玻璃基板的检测设备和干法刻蚀设备有效
申请号: | 201020246462.9 | 申请日: | 2010-06-22 |
公开(公告)号: | CN201803915U | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 徐伟齐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G01N7/00 | 分类号: | G01N7/00;G02F1/1333;H01L21/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 检测 设备 刻蚀 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示基板制造技术,尤其涉及玻璃基板的检测设备和干法刻蚀设备。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。
液晶显示器面板包括彩膜基板(Color Filter,简称CF)和阵列基板,彩膜基板和阵列基板之间夹着一层液晶。其中,彩膜基板与阵列基板都是以玻璃基板作为最基本的原材料进行不同的工艺加工而成的。因此,为了保证彩膜基板和阵列基板的质量,对于作为原材料的玻璃基板的质量要求也就非常高。现有技术中,技术人员单凭肉眼是很难分辨玻璃基板上的细小裂纹的,但是即便是再细小的裂纹,也会对液晶显示器的质量带来很大的问题。尤其是阵列基板。
阵列基板的制造过程通常需要循环进行成膜、黄光、刻蚀和去胶几个工艺以做出多层图案层。其中的刻蚀工艺的主要目的是在光刻胶图案的遮蔽下将不需要的膜去除,从而形成所需要的图案层。利用等离子体去除不必要的膜的刻蚀工艺为干法刻蚀,利用化学药液去除不必要的膜的刻蚀工艺为湿法刻蚀。
干法刻蚀一般是在真空腔室内,通过施加垂直于玻璃基板平面的电场,并通入恰当的气体而产生等离子,对玻璃基板表面进行刻蚀。为了产生垂直于玻璃基板平面的电场,通常会在腔室上下各有一个平板电极。玻璃基板放置在下部电极的表面。图1为现有技术中提供的下部电极的俯视结构图,为了保证刻蚀过程中玻璃基板温度的恒定,一般会将下部电极21做出突起12,并通过下部电极21中心区域的气孔6向玻璃基板的背面通入氦气,通过下部电极21上表面的突起12之间的间隙向玻璃基板的背面扩散以达到冷却的目的。8为覆盖下部电极21四周的陶瓷块。
然而在干法刻蚀的过程中,如果玻璃基板上存在裂纹,在等离子放电刻蚀时,等离子很容易通过这个间隙直接将上部电极和下部电极导通,从而发生击穿现象,损坏电极。同样会导致击穿现象的是由于光刻胶以及各种金属、非金属膜的刻蚀所产生的副产物,这些副产物中会有少部分由于并不是气态而不能够被排出腔室外。当玻璃基板刻蚀完成后被搬离出腔室时,这少部分副产物有可能会散落在下部电极的表面。当下一块待刻蚀的玻璃基板进入腔室时,就有可能因为这少部分副产物的存在而使得玻璃基板和下部电极之间存在间隙,这样的间隙同样可能会发生电极的击穿现象。
实用新型内容
本实用新型提供一种玻璃基板的检测设备和利用该玻璃基板的检测设备进行干法刻蚀的设备,以解决由于玻璃基板的裂纹或者玻璃基板和下部电极之间的异物导致的液晶显示器的质量问题以及电极击穿问题,保证了液晶显示器的质量以及干法刻蚀设备的安全使用。
本实用新型提供一种玻璃基板的检测设备,包括:
具有多个检测气孔的载台,所述多个检测气孔位于所述载台上所述玻璃基板的覆盖区域;
与所述多个检测气孔相连通的检测管路,所述检测管路用于向所述多个检测气孔通入气体;
与所述检测管路相连接的检测元件,所述检测元件用于检测通入所述检测气孔的气体流量或压力以确定所述玻璃基板是否存在裂缝。
如上所述的玻璃基板的检测设备,还包括报警器;所述报警器与所述检测元件电性连接,用于当所述检测元件检测到所述检测气孔的气体流量或压力不正常时,发出报警信号。
如上所述的玻璃基板的检测设备,所述检测气孔的孔径为0.5mm-3mm。
如上所述的玻璃基板的检测设备,所述多个检测气孔之间的距离范围在10~50mm之间。
本实用新型还提供了一种利用上述玻璃基板的检测设备进行干法刻蚀的设备,包括真空腔室内相对设置的上部电极和下部电极,所述上部电极和所述下部电极用于对放置于所述下部电极上的玻璃基板施加电场,其特征在于,所述下部电极为所述载台,所述多个检测气孔位于所述下部电极上靠近所述玻璃基板覆盖区域的边缘位置,所述玻璃基板的检测设备还用于检测所述下部电极与所述玻璃基板之间是否存在异物。
如上所述的利用上述玻璃基板的检测设备进行干法刻蚀的设备,所述下部电极的四周具有陶瓷块,所述陶瓷块上具有多个所述检测气孔。
如上所述的利用上述玻璃基板的检测设备进行干法刻蚀的设备,所述下部电极上靠近所述玻璃基板覆盖区域的边缘位置为:距离所述玻璃基板覆盖区域边缘3~10cm的位置。
如上所述的利用上述玻璃基板的检测设备进行干法刻蚀的设备,所述下部电极的中心区域具有气孔,所述气孔与所述检测管路相连,所述气孔用于通入气体以冷却所述玻璃基板;
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