[实用新型]半导体用氟表面蚀刻液生产装置有效
| 申请号： | 201020250851.9 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201768554U | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 戈士勇 | 申请（专利权）人： | 江阴市润玛电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B01J10/00 | 分类号： | B01J10/00;B01J19/02;B01F3/08;B01F7/16;C23F1/24 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214423 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 蚀刻 生产 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，其特征在于：它包括氢氟酸储罐(1)、缓冲剂储罐(2)、第一混合罐(3)、硝酸储罐(4)、稳定剂储罐(5)、第二混合罐(6)、去离子水储罐(7)、第三混合罐(8)、过滤器(9)和成品罐(10)；
所述氢氟酸储罐(1)和缓冲剂储罐(2)分别与第一混合罐(3)进口相连接；
所述硝酸储罐(4)和稳定剂储罐(5)分别与第二混合罐(6)进口相连接；
所述第一混合罐(3)和第二混合罐(6)出口分别与第三混合罐(8)进口相连接，所述第三混合罐(8)进口上还连有去离子水储罐(7)；
所述第三混合罐(8)出口与过滤器(9)进口相连接，所述过滤器(9)出口与成品罐(10)相连接；所述第一混合罐(3)、第二混合罐(6)和第三混合罐(8)内均设有搅拌器。
2.根据权利要求1所述的一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，其特征在于：所述第一混合罐(3)、第二混合罐(6)和第三混合罐(8)内壁均为聚四氟乙烯。
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