[实用新型]半导体用氟表面蚀刻液生产装置

说明书

(一)技术领域

本实用新型涉及一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，属于电子化学品生产设备技术领域。

(二)背景技术

湿法化学蚀刻在半导体制造中式最为常见的图形化技术之一。母亲啊的时刻也种类比较繁多，但专用于半导体的蚀刻液相对较少。蚀刻液在蚀刻中的稳定性、细线条蚀刻的平滑度及精度、产品合格率等方面尚存缺陷。为保证其稳定性及蚀刻的平滑度及精度，在蚀刻液中氢氟酸、硝酸强酸，需要加入一定的稳定剂和缓冲剂。而常规的将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合的装置，其分散混合性能差，蚀刻液杂质含量多，且多种强酸直接共混存在较大的安全隐患，不能满足使用需求。

(三)发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种分散混合性好、杂质含量少、操作安全的半导体用氟表面蚀刻液生产装置。

本实用新型的目的是这样实现的：一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，其特征在于：它包括氢氟酸储罐、缓冲剂储罐、第一混合罐、硝酸储罐、稳定剂储罐、第二混合罐、去离子水储罐、第三混合罐、过滤器和成品罐；

所述氢氟酸储罐和缓冲剂储罐分别与第一混合罐进口相连接；

所述硝酸储罐和稳定剂储罐分别与第二混合罐进口相连接；

所述第一混合罐和第二混合罐出口分别与第三混合罐进口相连接，所述第三混合罐进口上还连有去离子水储罐；

所述第三混合罐出口与过滤器进口相连接，所述过滤器出口与成品罐相连接；

所述第一混合罐、第二混合罐和第三混合罐内均设有搅拌器。

所述第一混合罐、第二混合罐和第三混合罐内壁均为聚四氟乙烯。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型半导体用氟表面蚀刻液生产装置，将氢氟酸与缓冲剂在第一混合罐中充分搅拌混合均匀，将硝酸与稳定剂在第二混合罐中充分搅拌混合均匀后，再进入第三混合罐中混合，过滤后封装。其分散混合均有性好、且操作安全性好，产品杂质含量少。

(四)附图说明

图1为本实用新型半导体用氟表面蚀刻液生产装置的结构示意图。

其中：

氢氟酸储罐1、缓冲剂储罐2、第一混合罐3、硝酸储罐4、稳定剂储罐5、第二混合罐6、去离子水储罐7、第三混合罐8、过滤器9、成品罐10。

(五)具体实施方式

参见图1，本实用新型涉及的一种半导体用氟表面蚀刻液生产装置，主要由氢氟酸储罐1、缓冲剂储罐2、第一混合罐3、硝酸储罐4、稳定剂储罐5、第二混合罐6、去离子水储罐7、第三混合罐8、过滤器9和成品罐10组成，

所述氢氟酸储罐1和缓冲剂储罐2分别与第一混合罐3进口相连接；

所述硝酸储罐4和稳定剂储罐5分别与第二混合罐6进口相连接；

所述第一混合罐3和第二混合罐6出口分别与第三混合罐8进口相连接，所述第三混合罐8进口上还连有去离子水储罐7；

所述第三混合罐8出口与过滤器9进口相连接，所述过滤器9出口与成品罐10相连接。

所述第一混合罐3、第二混合罐6和第三混合罐8内壁均为聚四氟乙烯；

所述第一混合罐3、第二混合罐6和第三混合罐8内均设有搅拌器。

所述缓冲剂储罐2为氟化铵储罐。

所述稳定剂储罐5为冰醋酸储罐或盐酸储罐。