[实用新型]改良的导线架结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种导线架结构，特别是涉及一种可同时搭载两个或两个以上晶粒的改良的导线架结构。

背景技术

半导体晶片是经过繁杂的半导体制造过程所制造出，为了使半导体晶片可容易地被应用于电路之中，并可同时保护半导体晶片不受外力与湿气的侵蚀，必须将半导体晶片进行封装。

进行半导体晶片封装时，须备有一基本的封装架构以供放置半导体晶片。请参阅图1，是一种现有的双晶体管封装架构的俯视图，现有的一种双晶体管封装架构70’，包括：一第一导线架80’、一第二导线架86’以及多数个金属焊板40’。如图1所示，一第一晶粒81’是以其一第一漏极端(第一漏极端为第一晶粒的背极，因此无标示元件符号)而被设置于该第一导线架80’之上，并通过一引线91’而与该金属焊板40’电性连接；此外，第一晶粒81’之一第一栅极端84’也通过一引线92’而与金属焊板40’电性连接。该第二导线架86’之上则设有一第二晶粒87’，该第二晶粒87’以其一第二漏极端(第二漏极端为第二晶粒之背极，因此无标示元件符号)而被设置于第二导线架86’之上，该第二漏极端更通过二引线96’而电性连接至金属焊板40’，并且，第二晶粒87’的一第二栅极90’是通过一引线94’而电性连接至金属焊板40’，且第二晶粒87’的一第二源极端88’通过二组引线95’分别地电性连接至金属焊板40’；另外，第一晶粒81’的一第一源极端82’通过一组引线93’而耦接至第二晶粒87’的第二漏极端。

上述双晶体管封装架构70’为现有的封装架构，双晶体管封装架构70’可供设置两个待封装晶粒，因此，被经常地使用于半导体晶片封装之中；然而，如图1所示，双晶体管封装架构70’具有下列的缺点与不足：

1.该双晶体管封装架构70’之中，是通过引线分别将该第一栅极端、第一漏极端、第二栅极端与第二源极端电性连接至该金属焊板，并通过一组引线将第一源极端与第二漏极端相互耦接；然而，使用过多的引线，将使得整体制造过程的时间拉长。

2.焊粒材料，如银胶或焊锡，容易对晶粒周围的焊垫造成污染，导致对焊垫进行焊线之时，焊线情况不佳。

有鉴于上述现有的双晶体管封装架构存在的缺陷，本设计人积极加以研究创新，终于创设出确具实用价值的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于，提出一种改良的导线架结构，可作为双晶粒的场效晶体管的焊线架构，其仅须使用数条引线，即可将两个场效晶体管电性连接至外部的金属脚位，并同时将其一场效晶体管的源极电性连接至另一场效晶体管的漏极。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的改良的导线架结构，包括：一第一晶粒座，用于设置一第一晶粒，其中，该第一晶粒具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，第一晶粒以该第一电极连接该第一晶粒座；一第二晶粒座，用于设置一第二晶粒，其中，该第二晶粒具有一第四电极、一第五电极与一第六电极，第二晶粒以该第四电极连接该第二晶粒座，此外，第二晶粒座的一侧延伸成为一第二电极焊线区；一第三电极焊线区，通过一第二引线将第一晶粒的第三电极电性连接至该第三电极焊线区；一第五电极焊线区，通过一第三引线将第二晶粒的第五电极电性连接至该第五电极焊线区；以及一第六电极焊线区，通过一第四引线将第二晶粒的第六电极电性连接至该第六电极焊线区；其中，通过一第一引线将第一晶粒的第二电极电性连接至该第二电极焊线区，使得第一晶粒的第二电极电性连接于第二晶粒的第四电极。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的改良的导线架结构，其中所述的第一晶粒为一场效晶体管或一双极性晶体管。

前述的改良的导线架结构，其中所述的第二晶粒为一场效晶体管或一双极性晶体管。

前述的改良的导线架结构，其中所述的第一晶粒座还包括至少一第一延伸区，该第一延伸区形成于第一晶粒座的一侧边。

前述的改良的导线架结构，其中所述的第二晶粒座还包括一第三延伸区，该第三延伸区121形成于第二晶粒座的一侧边。

借由上述技术方案，本实用新型改良的导线架结构至少具有下列优点：

1、本实用新型可作为双晶粒的场效晶体管或双极性晶体管的焊线架构，且，仅须使用数条引线，即可将两个场效晶体管或两个双极性晶体管电性连接至外部的金属脚位。