[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体结构

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体结构，其包括一栅极、一源极、一漏极及一衬底，其特征在于：所述栅极包括一多晶硅层，所述源极包括一P注入层，所述漏极包括所述P注入层、一P阱层及一深注入P阱层，一衬底连接端通过所述P注入层、所述P阱层、所述深注入P阱层及一P型埋层连接所述衬底。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于：所述漏极具有若干漏极区域，所述源级具有若干源级区域，所述栅极具有若干栅极区域，每一源级区域周围有四个漏极区域，每一漏极区域周围有四个源级区域，所述栅极区域位于所述源级区域与所述漏极区域之间。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于：所述横向扩散金属氧化物半导体结构还包括一背栅，所述背栅包括一N注入层、一N阱层、一深注入N阱层、一N型外延层及一N型埋层。

4.如权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于：所述横向扩散金属氧化物半导体结构还包括一场氧层。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于：所述衬底为P型衬底，所述衬底连接端为P型衬底连接端。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于：所述横向扩散金属氧化物半导体结构为一种P沟道的横向扩散金属氧化物半导体结构。