[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体结构，尤指一种结构紧密、导通电阻低、且能承受大电流和大电压的横向扩散金属氧化物半导体结构。

背景技术

随着功率半导体技术和系统集成技术的不断发展，功率器件的研究也越来越受到关注。功率器件对功率集成电路的体积、重量、价格、效率、性能以及可靠性起到至关重要的作用，因此有新技术不断被应用到横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件中，使其满足市场的要求。正由于这个原因，LDMOS的结构和工艺不断改进，各种LDMOS的衍生结构层出不穷。因此有必要针对实际应用中的需求提供一种结构紧密、导通电阻低、且能承受大电流和大电压的LDMOS结构。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种结构紧密、导通电阻低、且能承受大电流和大电压的横向扩散金属氧化物半导体结构。

一种横向扩散金属氧化物半导体结构，其包括一栅极、一源极、一漏极及一衬底，所述栅极包括一多晶硅层，所述源极包括一P注入层，所述漏极包括所述P注入层、一P阱层及一深注入P阱层，一衬底连接端通过所述P注入层、所述P阱层、所述深注入P阱层及一P型埋层连接所述衬底。

优选地，所述漏极具有若干漏极区域，所述源级具有若干源级区域，所述栅极具有若干栅极区域，每一源级区域周围有四个漏极区域，每一漏极区域周围有四个源级区域，所述栅极区域位于所述源级区域与所述漏极区域之间。

优选地，所述横向扩散金属氧化物半导体结构还包括一背栅，所述背栅包括一N注入层、一N阱层、一深注入N阱层、一N型外延层及一N型埋层。

优选地，所述横向扩散金属氧化物半导体结构还包括一背栅，所述横向扩散金属氧化物半导体结构还包括一场氧层。

优选地，所述衬底为P型衬底，所述衬底连接端为P型衬底连接端。

优选地，所述横向扩散金属氧化物半导体结构为一种P沟道的横向扩散金属氧化物半导体结构。

相对现有技术，本实用新型横向扩散金属氧化物半导体结构在现有工艺上无须增加任何掩摸步骤即可制作出来，且结构紧密、导通电阻低、能承受大电流和大电压。

附图说明

图1为本实用新型横向扩散金属氧化物半导体结构较佳实施方式的平面示意图。

图2为本实用新型横向扩散金属氧化物半导体结构较佳实施方式的剖面示意图。

具体实施方式

请参阅图1，本实用新型横向扩散金属氧化物半导体结构较佳实施方式包括一漏极D、一源极S、一栅极G、一背栅B及一P型衬底PSUB。其平面示意图如图1所示，该漏极D具有若干漏极区域，该源级S具有若干源级区域，该栅极G具有若干栅极区域，该背栅B具有若干背栅区域，其中每一源级区域周围有四个漏极区域，每一漏极区域周围有四个源级区域，栅极区域位于源级区域与漏极区域之间，每一源极区域旁具有一背栅区域。

请同时参阅图2，图2为沿图1的45度对角方向切割的剖面示意图，即沿箭头所示方向进行切割后的一剖面示意图。由图中可以看出，该横向扩散金属氧化物半导体结构包括一场氧层FOX、一P注入层P+、一P阱层LVPW、一深注入P阱层HVPW、一N型外延层NEPI、一N注入层N+、一N阱层LVNW、一深注入N阱层HVNW、一P型埋层PBL、一N型埋层NBL、一多晶硅层POLY、P型衬底PSUB、漏极D、源极S、栅极G、背栅B及一P型衬底连接端SUB。

其中，背栅B包括该N注入层N+、该N阱层LVNW、该深注入N阱层HVNW、该N型外延层NEPI及该N型埋层NBL；源极S包括该P注入层P+；栅极G包括该多晶硅层POLY；漏极D包括该P注入层P+、该P阱层LVPW及该深注入P阱层HVPW；P型衬底连接端SUB通过P注入层P+、P阱层LVPW、深注入P阱层HVPW及P型埋层PBL连接该P型衬底PSUB。