[实用新型]防静电光罩有效
申请号: | 201020301094.3 | 申请日: | 2010-01-20 |
公开(公告)号: | CN201607608U | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 杜武兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市路维电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示器制造技术,尤其涉及一种防静电光罩。
背景技术
在目前液晶显示面板行业加工过程中,光罩是一种图形转移的重要制具,将光罩上的设计图案通过曝光过程定义在显示面板的ITO玻璃或芯片的光抗蚀层上后,通过化学蚀刻制成与光罩图案一样的图形。因而,光罩上的图形图案十分重要,若光罩上的图形出现问题或损伤,对后续使用光罩加工的产品图案也无法达到设计所要求的电路及路线图;所以如何保证光罩的电路图形就显到十分重要。
光罩的构成是在一块苏打特性的玻璃上镀一层金属铬层(Cr),而其设计的图案就形成在该金属铬层上。然而,众所周知地,在环境变化等情况下,特别是在空气干燥的季节,物体间的摩擦很容易产生静电电荷,摩擦起电所产生的电压取决于相互摩擦的材料本身的特性,而人体与玻璃之间是比较常见容易摩擦起电的主体,而光罩表面为金属层,故在该金属层上非常容易累积静电电荷,当其累积的静电电荷达到一定程度时,就会找寻一个释放的渠道。在这种情况之下,静电电荷通常会在相邻的图形图案间,尤其是相对较细的图形间以角对角、尖对尖、大图形向小图形的方式释放静电,这种释放静电过程叫静电电荷放电。而静电放电现象所产生的瞬间热能、电能足以破坏光罩上的图形图案,从而使产品合格率和可靠性下降,甚至导致光罩图形损伤无法使用。
因此,许多大型的制造厂引进专业技术以减小生产环境中的静电积累,用户根据自己的经验也懂得了防治静电放电损害的重要性。目前,在光罩加工及应用领域中,常见的一种防静电方法是在光罩表面增加隔膜层或保护层,以此来减少或防止静电累积,该方案制造方法较为繁琐,而且会增加光罩制造困难度与成本;而另一种则是从环境上着手,如通过增加空气的湿度来降低静电产生或在光罩放置位置以及移动的路线上喷洒离子以中和产生的静电等。这些方案往往都需要大量的设备和成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种防静电光罩,该光罩可大大节省放静电光罩的防静电设备和成本。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种防静电光罩,包括覆盖有金属铬层的苏打玻璃,所述金属铬层蚀刻有光罩图形,绕该光罩边缘的金属铬层表面设置有一放电环,该放电环通过设置在所述金属铬层的静电导引线连接到光罩图形,而该放电环的首尾通过两组相对设置的放电端子对接,每组放电端子由若干以预设的间隔并排设置的放电端子构成。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型的实施例通过围绕光罩的边缘设置带有尖端放电区的放电环,将累积在光罩上的静电导引出有效图形外进行释放,从而有效地避免了光罩受静电击伤的可能性,并大大降低了光罩对运输、保存及使用环境的要求,增加了光罩使用寿命,降低了制造成本,节省了大量因静电破坏报废的产品的费用。
下面结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。
附图说明
图1是本实用新型提供的防静电光罩一个实施例的结构示意图。
图2是本实用新型提供的防静电光罩一个实施例中放电端子的放大图。
图3是提供的防静电光罩一个实施例中放电组的放大图。
具体实施方式
下面参考图1-图3详细描述本实用新型提供的防静电光罩的一个实施例。
如图1所示,本实施例主要包括覆盖有金属铬层1的苏打玻璃,所述金属铬层蚀刻有光罩图形(图中未示出),绕该光罩边缘的金属铬层1表面设置有一放电环10,该放电环10通过设置在金属铬层1的静电导引线20连接到光罩图形,而该放电环10的首尾通过两组相对设置的放电端子101、102对接,每组放电端子由若干以预设的间隔并排设置的放电端子1012构成。
具体实现时,放电环10可为黑色的矩形环,其环边宽可为8-10厘米。
其中,放电端子101、102起到释放累积的静电的作用,其具体结构如图2所示。具体实现时,同一组中放电端子101(102)中每个放电端子1012间的间隔及单个放电端子1012的宽度均小于所述光罩图形的最小线宽,为其1/2最好,如:光罩图形中最小线条的宽度为10um,则同一组放电端子101(102)间的间隔及单个放电端子1012的宽度分别为5um;而两组放电端子101、102间的相对距离则不超过每个放电端子1012宽度的二分之一,如:其端子1012宽度与间隔均为5um,则两组放电端子101、102间的相对距离为2.5um,即两组放电端子101、102间的相对距离是单个放电端子1012宽度的1/2。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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