[实用新型]一种具有动态偏置控制的比较器有效

专利信息
申请号: 201020510499.8 申请日: 2010-08-31
公开(公告)号: CN201893763U 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 任亚林 申请(专利权)人: 无锡比迅科技有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214028 江苏省无锡市新区长*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 动态 偏置 控制 比较
【权利要求书】:

1.一种具有动态偏置控制的比较器,包括比较器(2);其特征是:所述比较器(2)的输入端与预放大器(1)相连,所述预放大器(1)与偏置信号控制电路(3)的输出端相连;偏置信号控制电路(3)输出第一偏置电压与第二偏置电压;所述预放大器(1)向比较器(2)输出相应的偏置电流。

2.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述预放大器(1)包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3及场效应管M4;所述场效应管M1与场效应管M2的源极相连,并分别与场效应管M3及场效应管M4的漏极端相连,所述场效应管M3与场效应管M4的源极端均接地;场效应管M4的栅极端与第一偏置电压相连,场效应管M2的栅极端与参考信号Vin-相连,场效应管M1的栅极端与输入信号Vin+相连;场效应管M1与场效应管M2的衬底均与第二偏置电压相连;场效应管M1的漏极端通过电阻R1与电源VDD相连,场效应管M2的漏极端通过电阻R2与电源VDD相连。

3.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述比较器(2)包括场效应管M7与场效应管M8;所述场效应管M7与场效应管M8的源极端均通过开关S3接地;场效应管M7与场效应管M8的漏极端分别通过电阻R3、电阻R4与电源VDD相连;场效应管M7的栅极端与场效应管M8的漏极端相连,场效应管M8的栅极端与场效应管M7的漏极端相连;电阻R3及电阻R4对应于与电源VDD相连的另一端分别通过开关S1、开关S2与预放大器(1)的输出端相连。

4.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述偏置信号控制电路(3)包括峰值检测电路,所述峰值检测电路的输出端分别与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连;场效应管M5的漏极端与电源VDD相连,场效应管M5的源极端通过电流源A1接地,电流源A1对应于与场效应管M5的源极端相连的一端形成第二偏置电压;场效应管M6的源极端接地,场效应管的漏极端通过电流源A2与电源VDD相连;电流源A2对应于与场效应管M6的漏极端相连的一端形成第一偏置电压。

5.根据权利要求4所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述峰值检测电路包括二极管D及电容C;所述二极管D的阴极端与电容C相连,电容C的另一端接地;电容C对应于与二极管D的阴极端相连的端部还与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连。

6.根据权利要求3所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述开关S1、开关S2及开关S3为CMOS管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡比迅科技有限公司,未经无锡比迅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020510499.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top