[实用新型]一种具有动态偏置控制的比较器有效
申请号: | 201020510499.8 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN201893763U | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 任亚林 | 申请(专利权)人: | 无锡比迅科技有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区长*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 动态 偏置 控制 比较 | ||
1.一种具有动态偏置控制的比较器,包括比较器(2);其特征是:所述比较器(2)的输入端与预放大器(1)相连,所述预放大器(1)与偏置信号控制电路(3)的输出端相连;偏置信号控制电路(3)输出第一偏置电压与第二偏置电压;所述预放大器(1)向比较器(2)输出相应的偏置电流。
2.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述预放大器(1)包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3及场效应管M4;所述场效应管M1与场效应管M2的源极相连,并分别与场效应管M3及场效应管M4的漏极端相连,所述场效应管M3与场效应管M4的源极端均接地;场效应管M4的栅极端与第一偏置电压相连,场效应管M2的栅极端与参考信号Vin-相连,场效应管M1的栅极端与输入信号Vin+相连;场效应管M1与场效应管M2的衬底均与第二偏置电压相连;场效应管M1的漏极端通过电阻R1与电源VDD相连,场效应管M2的漏极端通过电阻R2与电源VDD相连。
3.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述比较器(2)包括场效应管M7与场效应管M8;所述场效应管M7与场效应管M8的源极端均通过开关S3接地;场效应管M7与场效应管M8的漏极端分别通过电阻R3、电阻R4与电源VDD相连;场效应管M7的栅极端与场效应管M8的漏极端相连,场效应管M8的栅极端与场效应管M7的漏极端相连;电阻R3及电阻R4对应于与电源VDD相连的另一端分别通过开关S1、开关S2与预放大器(1)的输出端相连。
4.根据权利要求1所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述偏置信号控制电路(3)包括峰值检测电路,所述峰值检测电路的输出端分别与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连;场效应管M5的漏极端与电源VDD相连,场效应管M5的源极端通过电流源A1接地,电流源A1对应于与场效应管M5的源极端相连的一端形成第二偏置电压;场效应管M6的源极端接地,场效应管的漏极端通过电流源A2与电源VDD相连;电流源A2对应于与场效应管M6的漏极端相连的一端形成第一偏置电压。
5.根据权利要求4所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述峰值检测电路包括二极管D及电容C;所述二极管D的阴极端与电容C相连,电容C的另一端接地;电容C对应于与二极管D的阴极端相连的端部还与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连。
6.根据权利要求3所述的具有动态偏置控制的比较器,其特征是:所述开关S1、开关S2及开关S3为CMOS管。
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