[实用新型]一种具有动态偏置控制的比较器有效
申请号: | 201020510499.8 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN201893763U | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 任亚林 | 申请(专利权)人: | 无锡比迅科技有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区长*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 动态 偏置 控制 比较 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种比较器,尤其是一种具有动态偏置控制的比较器,具体地说是一种能够降低静态与动态功耗的比较器,属于模数转换器的技术领域。
背景技术
在现代通信及消费类集成电路中,模数转换器是一个重要部件;模数转换器用于将模拟信号与数字信号间的转换。而对于各种类型的模数转换器,比较器都是必不可少的重要模块。在高速模数转换器中,比较器的速度决定了模数转换器的速度,提高比较器的速度一般会增加功耗,从而限制了模数转换器的使用。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种具有动态偏置控制的比较器,其结构简单,适用范围广,能够降低动态功耗与静态功耗。
按照本实用新型提供的技术方案,所述具有动态偏置控制的比较器,包括比较器;所述比较器的输入端与预放大器相连,所述预放大器与偏置信号控制电路的输出端相连;偏置信号控制电路输出第一偏置电压与第二偏置电压;所述预放大器向比较器输出相应的偏置电流。
所述预放大器包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3及场效应管M4;所述场效应管M1与场效应管M2的源极相连,并分别与场效应管M3及场效应管M4的漏极端相连,所述场效应管M3与场效应管M4的源极端均接地;场效应管M4的栅极端与第一偏置电压相连,场效应管M2的栅极端与参考信号Vin-相连,场效应管M1的栅极端与输入信号Vin+相连;场效应管M1与场效应管M2的衬底均与第二偏置电压相连;场效应管M1的漏极端通过电阻R1与电源VDD相连,场效应管M2的漏极端通过电阻R2与电源VDD相连。
所述比较器包括场效应管M7与场效应管M8;所述场效应管M7与场效应管M8的源极端均通过开关S3接地;场效应管M7与场效应管M8的漏极端分别通过电阻R3、电阻R4与电源VDD相连;场效应管M7的栅极端与场效应管M8的漏极端相连,场效应管M8的栅极端与场效应管M7的漏极端相连;电阻R3及电阻R4对应于与电源VDD相连的另一端分别通过开关S1、开关S2与预放大器的输出端相连。
所述偏置信号控制电路包括峰值检测电路,所述峰值检测电路的输出端分别与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连;场效应管M5的漏极端与电源VDD相连,场效应管M5的源极端通过电流源A1接地,电流源A1对应于与场效应管M5的源极端相连的一端形成第二偏置电压;场效应管M6的源极端接地,场效应管的漏极端通过电流源A2与电源VDD相连;电流源A2对应于与场效应管M6的漏极端相连的一端形成第一偏置电压。
所述峰值检测电路包括二极管D及电容C;所述二极管D的阴极端与电容C相连,电容C的另一端接地;电容C对应于与二极管D的阴极端相连的端部还与场效应管M5及场效应管M6的栅极端相连。所述开关S1、开关S2及开关S3为CMOS管。
本实用新型的优点:偏置信号控制电路接收并检测输入信号的电压峰值,并输入第一偏置电压与第二偏置电压,第二偏置电压与场效应管M1与场效应管M2的衬底相连,第一偏置电压与场效应管M4的栅极端相连;当输入信号的幅值较大时,第二偏置电压较高,第一偏置电压较低;当第二偏置电压较高时,从而使场效应管M1与场效应管M2的衬底电压升高,场效应管M1与场效应管M2的阈值电压Vth升高,降低了场效应管M1与场效应管M2的开关电流,降低了比较器的动态功耗;当第一偏置电压较低时,降低了场效应管M4的偏置电流,降低了静态功耗,扩大了比较器的适用范围,安全可靠。
附图说明
图1为本实用新型的原理示意图。
图2为本实用新型偏置信号控制电路的原理示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1~图2所示:本实用新型包括预放大器1、比较器2及偏置信号控制电路3。
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