[实用新型]单极点多级增益增强放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单极点多级增益增强放大器，属于放大器技术领域。

背景技术

随着晶体管技术的发展，其沟道长度不断地缩小，运行所需电压降低，运行速度随之上升。但是同时，晶体管的低电压电源和短沟道效应却严重影响了它的放大作用，在短沟道工艺上使其同样具有高增益、高范围输入输出电压变得十分困难。现有多级增益增强电路虽然可以扩大电路的增益，但却无法避免对电路运行的速度和精确度的影响，并且面积花销较大。

集成运算放大器是模拟集成电路中最基本的模块，在集成运放的众多参数指标中，开环增益是最基本的指标参数，它严重影响集成运放的应用。随着目前集成电路制造工艺节点从微米发展到纳米，MOS器件的尺寸从微米缩小到纳米，这种发展一方面促成了半导体器件如MOSFET以及相应电子系统速度的提升和系统集成度的提高，另一方面，也导致半导体器件，如MOSFET的部分性能退化，重要的如增益的退化。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有集成运算放大器的工艺发展造成其增益降低的问题，提供一种单极点多级增益增强放大器。

本实用新型由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管和四输入两输出从放大器组成，

第十三晶体管的源极作为电源正极输入端，第十三晶体管的漏极连接第十四晶体管的源极和第十五晶体管的源极，

第十四晶体管的栅极作为电压正相输入端，第十四晶体管的漏极连接第十八晶体管的漏极，第十八晶体管的源极作为接地端，第十八晶体管的栅极连接第十九晶体管的栅极，第十九晶体管的源极作为接地端，第十九晶体管的漏极连接第十五晶体管的漏极，第十五晶体管的栅极作为电压负相输入端；

第十八晶体管的漏极连接第三晶体管的源极和四输入两输出从放大器的C输入端，第三晶体管的漏极连接第一晶体管的漏极并作为电压负极输出端，第三晶体管的栅极连接第一晶体管的栅极并连接四输入两输出从放大器的e输出端，第一晶体管的源极连接四输入两输出从放大器的a输入端，四输入两输出从放大器的b输入端连接第二晶体管的源极，第二晶体管的栅极连接第四晶体管的栅极并连接四输入两输出从放大器的f输出端，第二晶体管的漏极连接第四晶体管的漏极并作为电压正相输出端，第四晶体管的源极连接四输入两输出从放大器的d输入端和第十九晶体管的漏极；

第一晶体管的源极连接第十六晶体管的漏极，第十六晶体管的源极作为电源正极输入端，第十六晶体管的栅极连接第十七晶体管的栅极，第十七晶体管的源极作为电源正极输入端，第十七晶体管的漏极连接第二晶体管的源极和第二十一晶体管的漏极，第二十一晶体管的栅极作为电压负相输入端，第二十一晶体管的源极连接第二十晶体管的源极和第二十二晶体管的漏极，第二十二晶体管的源极作为接地端；

第二十晶体管的栅极作为电压正相输入端，第二十晶体管的漏极连接第一晶体管的源极。

本实用新型的优点是：本实用新型运用单极点多增益增强技术，使得在小电流偏置环境下基于多级设计的放大电路具有高运行速度与精度，它在不牺牲单位增益频率的前提下增加了运算放大器的直流增益，补偿了由于集成运算放大器的工艺发展造成其增益降低的缺陷。本实用新型同时使放大器在不影响运算速度的前提下，增大了放大器的直流增益。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构示意图；图2为图1中四输入两输出从放大器的电路结构示意图；图3为本实用新型实施方式三的电路结构示意图。

具体实施方式

具体实施方式一：下面结合图1说明本实施方式，本实施方式由第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第十三晶体管M13、第十四晶体管M14、第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第二十晶体管M20、第二十一晶体管M21、第二十二晶体管M22和四输入两输出从放大器AMP组成，

第十三晶体管M13的源极作为电源正极输入端Vdd，第十三晶体管M13的漏极连接第十四晶体管M14的源极和第十五晶体管M15的源极，