[实用新型]单层引线框架整流器无效
| 申请号： | 201020522079.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN201788968U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 | 申请（专利权）人： | 四川太晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/495 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单层 引线 框架 整流器 | ||
【权利要求书】：
1.单层引线框架整流器，包括引线框架，电极、4只芯片和基片，每只芯片包括相交的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体分别通过电极与引线框架连接，4只芯片连接成桥式整流电路，其特征在于，每只芯片中P型半导体和N型半导体均位于芯片正面，4只芯片正面朝上，所有电极位于芯片正面并与引线框架连接，4只芯片背面位于同一平面并直接与基片相连。
2.根据权利要求1所述的单层引线框架整流器，其特征在于，所述基片为芯片背面的一层绝缘层。
3.根据权利要求2所述的单层引线框架整流器，其特征在于，所述绝缘层背面有金属膜，所述金属膜上覆盖有散热片。
4.根据权利要求3所述的单层引线框架整流器，其特征在于，所述散热片为无氧铜片。
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