[实用新型]晶片清洗设备

权利要求书

1.一种晶片清洗设备，其特征在于，包括：

清洗室；

干燥装置，所述干燥装置与所述清洗室相邻设置且位于所述清洗室的下游，用于对清洗后的晶片进行干燥；以及

传输部，所述传输部贯穿设置于所述清洗室内，用于将待清洗的晶片传输至所述清洗室并在清洗室内传输晶片，其中

所述清洗室包括：

分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口；

第一去离子水冲洗区，所述第一去离子水冲洗区设置于所述进料口附近且具有第一进水管路以及第一出水管路，用于对刚被输送进所述清洗室的晶片进行第一阶段冲洗；

清洗液洗涤区，所述清洗液洗涤区位于所述第一去离子水冲洗区的下游并与其相邻设置且具有进液管路以及出液管路，用于对晶片进行清洗液洗涤；以及

第二去离子水冲洗区，所述第二去离子水冲洗区设置于所述出料口附近且具有第二进水管路以及第二出水管路，用于对晶片进行第二阶段冲洗，其中

所述第二出水管路与所述第一进水管路之间通过管路连接，从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，其中

所述第一去离子水冲洗区还具有依次设置的1～3个去离子水冲洗单元；

所述清洗液洗涤区还具有依次设置的1～4个清洗液洗涤单元；

所述第二去离子水冲洗区还具有依次设置的1～4个去离子水冲洗单元。

3.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述第一去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游的去离子水冲洗单元之间液路连接。

4.根据权利要求3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。

5.根据权利要求3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置于高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处。

6.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述第二去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游去离子水冲洗单元之间液路连接。

7.根据权利要求6所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。

8.根据权利要求6所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处。

9.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述清洗液洗涤区中，下游的清洗液洗涤单元和与其相邻的上游的清洗液洗涤单元之间液路连接。 

10.根据权利要求9所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的清洗液洗涤单元的出液体口和与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的进液口之间通过管路连接。

11.根据权利要求9所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的清洗液洗涤单元的出液口设置在高于与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的液位的位置处。