[实用新型]晶片清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一种晶片清洗设备、特别是用于太阳能硅片的清洗设备。

背景技术

传统的硅片清洗机在清洗晶片时，晶片在清洗室内经过第一阶段去离子水冲洗→清洗液洗涤→第二阶段去离子水冲洗后，送入干燥装置进行热气流烘干或者通过甩干机进行甩干。

传统的硅片清洗机在清洗过程中每一个去离子水冲洗单元都需要大量的去离子水，而这些水没有被重复利用而是直接排放，因而导致了晶片生产成本高、且造成了水资源的浪费、同时对环境带来了污染。

实用新型内容

有鉴于此，需要提供一种晶片清洗设备，该晶片清洗设备可以在保证清洗效果的同时大幅降低去离子水的用量。

根据本实用新型的实施例的晶片清洗设备，包括：清洗室；干燥装置，所述干燥装置与所述清洗室相邻设置，用于对清洗后的晶片进行干燥；以及传输部，所述传输部贯穿所述清洗室而设置，用于将待清洗的晶片传输至所述清洗室并在清洗室内传输晶片。其中，所述清洗室包括：分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口；第一去离子水冲洗区，所述第一去离子水冲洗区设置于所述进料口附近且具有第一进水管路以及第一出水管路，用于对刚被输送进所述清洗室的晶片进行第一阶段冲洗，且具有进水管路以及出水管路；清洗液洗涤区，所述清洗液洗涤区位于所述第一去离子水冲洗区的下游并与其相邻设置且具有进液管路以及出液管路，用于对晶片进行清洗液洗涤；以及第二去离子水冲洗区，所述第二去离子水冲洗区设置于所述出料口附近且具有第二进水管路以及第二出水管路，用于对晶片进行第二阶段冲洗，其中所述第二出水管路与所述第一进水管路之间通过管路连接，从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液(冲洗后的液体，在本实用新型中将其称作“冲洗后液”)回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。

根据本实用新型的晶片清洗设备，设备结构简单。在经过第一阶段冲洗和清洗液洗涤后，晶片表面的大部分杂物和污渍已经被去除，因此第二去离子水冲洗区所产生的冲洗后的液体已经较为干净，通过管路将其回收并用于第一去离子水冲洗区，能够在保证清洗效果的同时大幅降低去离子水的用量，并且能降低环境污染，降低晶片的生产成本。

另外，本实用新型的上述晶片清洗设备还可以具有如下附加特征：

根据本实用新型的一个实施例，所述第一去离子水冲洗区还具有依次设置的1～3个去离子水冲洗单元，所述清洗液洗涤区还具有依次设置的1～4个清洗液洗涤单元，所述第二去离子水冲洗区还具有依次设置的1～4个去离子水冲洗单元。

根据本实用新型的一个实施例，在所述第一去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游的去离子水冲洗单元液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。

具体而言，本实用新型的一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。

在本实用新型的另一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元中。

根据本实用新型的一个实施例，在所述第二去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游去离子水冲洗单元之间液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。

具体而言，在本实用新型的一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。

在本实用新型的另一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元中。

根据本实用新型的一个实施例，在所述清洗液洗涤区中，下游的清洗液洗涤单元和与其相邻的上游的清洗液洗涤单元之间液路连接，以将下游的清洗液洗涤单元产生的清洗后液(清洗后的液体，在本实用新型中将其称作“清洗后液”)回收并用于其相邻的上游的清洗液洗涤单元中进行洗涤。

具体而言，在本实用新型的一个示例中，所述下游的清洗液洗涤单元的出液口和与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的进液口之间通过管路连接。