[实用新型]混频器

权利要求书

1.一种混频器，其特征在于，至少包含：

混频器主电路，采用上下级级联的两级混频器结构，包含连接一电源的上级预放大器与下级混频器，该上级预放大器为上级结构，用于对射频端输入的射频信号进行放大后输出至该下级混频器，该下级混频器为下级结构，用于接收放大后的该射频信号，并将其与本征频率信号进行混频，转换成双端差分信号输出。

2.如权利要求1所述的混频器，其特征在于：该混频器还包括一中频放大电路，其具有两个输入端和两个输出端，用于接收该双端差分信号进行第二次放大，输出双端的中频信号。

3.如权利要求2所述的混频器，其特征在于：该两级混频器结构为电流复用的上下级级联的两级混频器结构。

4.如权利要求3所述的混频器，其特征在于：该上级预放大器与该下级混频器的连接点为虚地点。

5.如权利要求4所述的混频器，其特征在于，该上级预放大器进一步包括漏极相接的PMOS晶体管与第一NMOS晶体管，该PMOS晶体管源极接该电源，该第一NMOS晶体管栅极连接该射频端，源极与该下级混频器连接。

6.如权利要求5所述的混频器，其特征在于，该PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管的连接点通过一交流耦合电容连接至该下级混频器。

7.如权利要求5或6所述的混频器，其特征在于，该下级混频器为单端转双端的吉尔伯特混频器。

8.如权利要求7所述的混频器，其特征在于，该下级混频器进一步包括第二NMOS晶体管、第一开关管以及第二开关管，该第二NMOS晶体管栅极与该交流耦合电容相接以接收放大后的该射频信号，并通过漏极输出至该第一开关管与该第二开关管，该第一开关管与第二开关管分别连接该本征频率信号与该中频放大电路的两个输入端，用于将该本征信号与放大后的射频信号进行混频后形成该 双端差分信号输出至该中频放大电路。

9.如权利要求8所述的混频器，其特征在于，该第一开关管与该第二开关管为NMOS晶体管，其漏极分别通过一负载连接至该上级预放大器，该第一开关管与该第二开关管的栅极分别接该本征频率信号，漏极还连接至该中频放大电路的两输入端。

10.如权利要求9所述的混频器，其特征在于，该第一NMOS晶体管、该第一开关管以及该第二开关管均采用自偏置结构。

11.如权利要求10所述的混频器，其特征在于，该中频放大电路为一运算放大器，该运算放大器正输入端接该第一开关管漏极，负输入端接该第二开关管的漏极。

12.如权利要求11所述的混频器，其特征在于，该第一开关管与该第二开关管的源极之间设置串连的第六电阻与第七电阻，该第六电阻与该第七电阻的连接点接至该第二NMOS晶体管漏极。

13.如权利要求12所述的混频器，其特征在于，该上级预放大器与该下级混频器的连接点还连接一电容。