[实用新型]瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，包括有由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层，其特征在于，所述由中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的上复合内钝化层；所述上电极金属层位于芯片体上复合多层钝化区的中间，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，其特征在于所述芯片体的上掺杂层为P型硼结区，下掺杂层为衬底N型磷结区。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，其特征在于所述芯片体的上掺杂层为N型磷结区，下掺杂层为衬底P型硼结区。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，其特征在于所述上、下掺杂层均为P型硼结区，由中间层单晶硅体与下掺杂层构成的下台面与中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面相对应，下台面同样依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的下复合内钝化层，下电极金属层位于芯片体下复合多层钝化区的中间。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，其特征在于所述上、下掺杂层均为N型磷结区，由中间层单晶硅体与下掺杂层构成的下台面与中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面相对应，下台面同样依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的下复合内钝化层，下电极金属层位于芯片体下复合多层钝化区的中间。