[实用新型]气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构有效
申请号: | 201020585112.5 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN202024287U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 胡仲孚;吴永富;刘奎江 | 申请(专利权)人: | 盈胜科技股份有限公司 |
主分类号: | F21V23/06 | 分类号: | F21V23/06;F21V31/00;F21V7/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气密 多层 阵列 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,至少包括一金属基板及两个导线架,该金属基板上形成有具有一容置空间的一气密金属框体,该容置空间中具有一氮气,该气密框体顶面上形成有一气密封合框槽,且该气密金属框体顶面的外缘往上垂直延设有一封合框架,另该气密金属框体贯设有两组封合孔对,而每一个导线架由一连接板及一导杆对组成,每一组的封合孔对供每一个导杆对穿设,该导杆对的内侧端与该连接板相连结,该导杆对的外侧端则连接到电源,又该容置空间的底面上贴附有多个LED晶粒,所述LED晶粒之间为相打线接合并藉由多个导线与该连接板构成电性连接,所述LED晶粒之上形成有一晶粒保护层,该晶粒保护层之上再形成有一荧光层,该荧光层之上形成一硅胶层,该硅胶层覆盖保护该荧光层,其中该两组封合孔对的空隙皆以一封合材料封填起来,该气密金属框体顶面上放置有一硅玻璃罩,该硅玻璃罩并与该封合框架相接合密封,其中该硅玻璃罩与该荧光层之间的空间充满该氮气。
2.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该金属基板与该气密金属框体为一体成型。
3.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该金属基板的材质是铝、铜、或铜合金。
4.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该气密金属框体的内壁面上进一步镀上一反光保护层,该反光保护层的材质是银或镍。
5.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该封合材料是玻璃、陶瓷、或玻璃陶瓷。
6.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该气密金属框体底部形成有一出光槽,所述LED晶粒贴附于该出光槽的底面上,且该出光槽的侧壁面上进一步设置有一第一反光罩。
7.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该气密金属框体内进一步设置有一具有反光窗板的第二反光罩,该第二反光罩的外部靠贴于该气密金属框体的内壁面,该第二反光罩的反光窗板用以使其所接收到光线再反射出去。
8.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该硅玻璃罩呈平面状、凹面状及一凸面状的形式的至少其中之一。
9.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,透过一激光束接合方式、一热封接合方式、一焊接接合方式或一熔接接合方式的至少其中之一以使该硅玻璃罩与该封合框架相互接合。
10.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该荧光层直接预设于该硅玻璃罩内。
11.如权利要求1所述的气密型多层式阵列型发光二极管的封装结构,其特征在于,该荧光层的材料为一磷光剂。
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