[实用新型]半导体激光器老化测试控制系统

权利要求书

1.一种半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，所述控制系统由至少一个相互独立的驱动电路板组成，所述驱动电路板由横流控制电路和温度控制电路组成；

所述横流控制电路组成如下：第一集成运算放大器U1A的正相输入端由端口DCＡcurrset设定输入电压，通过电阻R3与端口LD连接；第一成运算放大器U1A的反相输入端通过电阻R5接地，电阻R8与电容C2组成的并联电路连接于第一成运算放大器U1A的反相输入端与输出端之间；所述第一集成运算放大器U1A的输出端通过R6与R7组成的并联电路与端口LD连接；第一集成运算放大器U1A的正电源端接正向偏置电压，并通过电容C1接地；第一集成运算放大器U1A的负电源端接地；

所述温度控制电路组成如下：第二集成运算放大器U4A的正相输入端通过电阻R11接1.8V参考电压；第二集成运算放大器U4A的反相输入端通过电阻R13与端口TempErr连接，第二集成运算放大器U4A的反相输入端依次通过电容C6、电阻R18与第二集成运算放大器U4A的输出端连接；第二集成运算放大器U4A的输出端通过电阻R14与音频功放芯片U3的管脚-IN连接；音频功放芯片U3的管脚SHDN与端口TEC_SHDN连接；音频功放芯片U3的管脚BYPASS、+IN输入相同正向电压1.8V；音频功放芯片U3的管脚-IN通过电阻R15与管脚VD+连接，管脚VD+与端口TEC-连接；音频功放芯片U3的管脚VDD加正向偏置电压，并通过电容C7接地；音频功放芯片U3的管脚GND接地；音频功放芯片U3的管脚VD-与端口TEC+连接；第三集成运算放大器U4B的正相输入端通过电阻R21接正向电压，并与端口RTH直接连接；第三集成运算放大器U4B的反相输入端通过电阻R22与端口DCATempctrl连接，并通过电阻R24、电容C10组成的并联电路与第三集成运算放大器U4B的输出端连接；第三集成运算放大器U4B的输出端与端口TempErr连接；第三集成运算放大器U4B的正电源端接正向偏置电压，并通过电容C9接地；第三集成运算放大器U4B的负电源端接地；

其中，端口DCＡcurrset表示给激光器提供恒定电流的控制电压，它是由数模转换芯片输出的；端口LD表示激光二极管，端口TEC_SHDN表示温度控制电路的开关，由单片机端口直接输出的高低电平控制，端口DCATempctrl表示设定激光器工作中管芯温度的控制电压，端口TempErr表示温控电路中温度的偏差转换成的电压偏差，它直接与R13相连并与后面电路构成积分比例电路，端口TEC-表示激光器内部制冷器的负端，端口TEC+表示激光器内部制冷器的正端，端口RTH表示激光器内部用于监测管芯温度的热敏电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，所述第一集成运算放大器U1A的正相输入端依次通过电阻R3、反向二极管D1与电容C3组成的并联电路接地。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，第一集成运算放大器U1A、第二集成运算放大器U4A及第三集成运算放大器U4B的正电源端接正向偏置电压均为3.3V；所述音频功放芯片U3的管脚BYPASS、+IN及VDD输入正向电压分别为1.8V、1.8V及3.3V；所述第二集成运算放大器U4A的正相输入端所加正向电压为2.5V；要求单片机控制电路部分的A/D与D/A转换芯片的转换精度为16位，且转换芯片的参考电压为3.0V。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，所述驱动电路板设有IIC通信端口。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，所述IIC通信端口通过USB接口与PC机连接。

6.根据权利要求1所述半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，采用音频功放芯片控制半导体激光器的制冷器。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器老化测试控制系统，其特征在于，所述驱动电路板采用AVR Mega16单片机控制。