[实用新型]半导体基板有效
| 申请号： | 201020593946.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201985109U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴孟修;陈永芳;戴煜暐 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/18;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
1.一种半导体基板，其特征在于，其包括：
一基板；
至少一半导体层，设置在所述基板上；
一第一抗反射层，设置在所述半导体层上；以及
一第二抗反射层，设置在所述第一抗反射层上，且所述第二抗反射层为不连续层，其具有光子转换效应。
2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，其中所述基板为单晶硅基板、多晶硅基板、非晶硅基板或微晶硅基板。
3.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，其中所述第一抗反射层的材质为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，其中所述第二抗反射层由多个粒子团所构成，所述粒子团由多个粒子组成。
5.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中组成所述粒子团的所述粒子的数量为相同。
6.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中组成所述粒子团的所述粒子的数量为不相同。
7.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团为规则的形状。
8.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团为不规则的形状。
9.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团的形状为相同或实质相同。
10.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团的形状为不相同。
11.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团的设置位置为规则的分布。
12.根据权利要求4所述的半导体基板，其特征在于，其中所述粒子团的设置位置为不规则的分布。
13.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，还包括：
一电极层，设置在所述第一抗反射层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
