[实用新型]半导体基板

说明书

技术领域

本实用新型关于一种基板，特别关于一种半导体基板。

背景技术

近年来石油化燃料逐渐枯竭导致石油价格飞涨，再加上主要工业国家达成二氧化碳排放减量的协议，因此业者积极研发运用再生能源的技术与装置，如太阳能发电、风力发电及水力发电…等，而其中以太阳能的利用为最主要的技术发展方向，其因在于太阳光可照射在全球各个地区，且太阳能在进行转换的过程不会对环境造成污染，举例来说，在太阳光能转换为电能的过程中，无须通过消耗其它能源而导致温室效应的问题。

各式太阳能电池的种类非常多，其各家制造材料、结构设计各有不同，但太阳能电池最基本的结构可分为N型与P型半导体层、抗反射层(anti-reflection layer)及金属电极等三个主要部份。N型与P型半导体层是光伏特效应的来源；抗反射层乃用在减少入射光的反射以增强半导体层产生的电流；金属电极则是用来连接组件和外部负载。

然而，太阳能转换为电能的转换效率却容易受限于太阳能电池的入射光线量及其利用率。因此，如何提供一种半导体基板，以提高太阳能电池的入射光线量及其利用率，进而提升太阳能电池的光电转换效率，已成为重要课题之一。

实用新型内容

有鉴于上述课题，本实用新型的目的为提供一种半导体基板，可提高太阳能电池的入射光线量及其利用率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。

本实用新型可采用以下技术方案来实现的。

依据本实用新型的一种半导体基板，其包括一基板；至少一半导体层，设置在基板上；一第一抗反射层，设置在半导体层上；以及一第二抗反射层，设置在第一抗反射层上，且第二抗反射层为不连续层，其具有光子转换效应。

在本实用新型的一实施例中，形成第一抗反射层及第二抗反射层的方法选自溅镀、蒸镀、涂布、印刷、喷墨印刷及其组合。

在本实用新型的一实施例中，基板为单晶硅基板、多晶硅基板、非晶硅基板或微晶硅基板。

在本实用新型的一实施例中，半导体层为N型半导体层或P型半导体层。

在本实用新型的一实施例中，抗反射层的材质为氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。

在本实用新型的一实施例中，第二抗反射层的材质包括氧化铝、氟化镁、氧化钽、五氧化二铌、氧化钛、二氧化硅、氧化锆、硫化锌、荧光粉体、有机荧光色素、高分子荧光材料、无机荧光材料、量子点荧光材料、混成荧光材料、磷光粉体、染料、或上述材质的组合。

在本实用新型的一实施例中，第二抗反射层由多个粒子团所构成，所述粒子团由多个粒子组成。

在本实用新型的一实施例中，组成粒子团的粒子的数量为相同或不相同。

在本实用新型的一实施例中，粒子团为规则或不规则的形状。

在本实用新型的一实施例中，粒子团的形状为相同、实质相同或不相同。

在本实用新型的一实施例中，粒子团的设置位置为规则或不规则的分布。

在本实用新型的一实施例中，半导体基板还包括一电极层，设置在第一抗反射层上。

借由上述技术方案，本实用新型的半导体基板至少具有下列优点：

因依据本实用新型的ㄧ种半导体基板，通过设置在第一抗反射层上的不连续的、且具有光子转换效应的第二抗反射层，减少入射光的反射，进而提高光电转换效率，与公知相较，不连续的第二抗反射层形成凹凸不平整的表面，可造成入射光的多重反射，增加光的行径路径，以提升入射光的吸收率，并且可减少形成第二抗反射层的材料成本。较佳地，基板第二抗反射层的材质还可将射入第二抗反射层光线的波长转换为运用在半导体层的光电转换效率较佳的长波长，以提升入射光线的利用率，而有效地提高整体光电转换的效率。

附图说明

图1为本实用新型第一优选实施例的半导体基板的剖面构造图；

图2为本实用新型第二优选实施例的半导体基板的剖面构造图；

图3为本实用新型第三优选实施例的半导体基板的剖面构造图；以及

图4为本实用新型第四优选实施例的半导体基板的剖面构造图。

主要元件符号说明：

1、2、3、4：半导体基板

11：基板

12：半导体层

13：第一抗反射层

14、24、34、44：第二抗反射层

241、242、243、244：粒子团

具体实施方式

以下将参照相关图式，说明依据本实用新型优选实施例的一种一种半导体基板，其中相同的组件将以相同的元件符号加以说明。