[实用新型]导电膜的制备设备

权利要求书

1.一种导电膜的制备设备，其特征在于，包括：

依次连接的上载缓冲密封室、离子束刻蚀密封室和磁控溅射镀膜密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；

真空泵系统，用于对密封室抽真空；

其中，

所述上载缓冲密封室对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的除气；

所述离子束刻蚀密封室利用离子束对除气后的基片进行离子束刻蚀；

所述磁控溅射镀膜密封室利用磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用磁控溅射靶在所述活性原子金属层上镀制导电金属层。

2.根据权利要求1所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述活性原子金属层为钛膜层或者铬膜层；和/或所述导电金属层为铜膜层或银膜层。

3.根据权利要求2所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述钛膜层的厚度为10纳米至120纳米；和/或所述铜膜层的厚度为0.5微米至2微米。

4.根据权利要求1、2或3所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述离子束刻蚀密封室的内壁上设有热辐射吸收体，用于吸收离子束刻蚀过程中释放出的热辐射能；所述磁控溅射镀膜密封室的内壁上设有热辐射吸收体，用于吸收磁控溅射过程中释放出的热辐射能。

5.根据权利要求1、2或3所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述上载缓冲密封室利用加热装置对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的加热除气。

6.根据权利要求5所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述加热装置为红外热辐射加热体。

7.根据权利要求1、2或3所述的导电膜的制备设备，其特征在于，

所述制备设备还包括连接在上载缓冲密封室和离子束刻蚀密封室之间的第一冷却密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；所述第一冷却密封室的内壁上设有热辐射吸收体，用于吸收所述基片释放出的热辐射能；

和/或 

所述制备设备还包括与所述磁控溅射镀膜密封室连接的第二冷却密封室，并且在所述磁控溅射镀膜密封室和第二冷却密封室之间采用门阀进行密封隔离；所述第二冷却密封室的内壁上设有热辐射吸收体，用于吸收所述基片释放出的热辐射能。

8.根据权利要求7所述的导电膜的制备设备，其特征在于，还包括与所述第二冷却密封室连接的卸载缓冲密封室，并且在所述第二冷却密封室和卸载缓冲密封室之间采用门阀进行密封隔离；所述卸载缓冲密封室内设有气体充入口，在将基片卸载前通过所述气体充入口充入气体，以平衡卸载缓冲密封室内的气压和外界大气压。

9.根据权利要求8所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述卸载缓冲密封室的内壁上设有冷却器。

10.根据权利要求4所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述热辐射吸收体通过导热隔离的方式设置在密封室的内壁上。

11.根据权利要求7所述的导电膜的制备设备，其特征在于，所述热辐射吸收体通过导热隔离的方式设置在密封室的内壁上。