[实用新型]导电膜的制备设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及在基片上制备导电膜的设备。

背景技术

在PCB板的制造工艺中，一般采用化学沉铜的方式在有机基片上沉积上一层种子铜，然后在此基础上通过图形转移、电镀的方法生长出线路层和通孔级联层，通过该线路层可以实现导电，所述的线路层属于导电膜的一种。

在实现上述导电膜制备过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

首先，随着布线密度的不断提高，线路(即导电膜)宽度越来越窄，对线路与有机基片之间的附着力水平要求的程度越来越高，而目前用于PCB制造的绝大部分通用基片材料，使用传统的化学沉铜方式在其表面所制备的导电膜的附着力水平已无法满足这一要求。

其次，使用传统的化学沉铜工艺，其在实施沉铜之前须对基材表面进行严格的粗化处理，而在此种较大粗糙度表面上制备出的线路层，在传输高频信号过程中会带来较高的能量损耗。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种导电膜的制备设备，增加导电膜与基片之间的附着力，减少高频信号传输的能量损耗。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种导电膜的制备设备，包括：

依次连接的上载缓冲密封室、离子束刻蚀密封室和磁控溅射镀膜密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；

真空泵系统，用于对密封室抽真空；

其中，

所述上载缓冲密封室对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的除气；

所述离子束刻蚀密封室利用离子束对除气后的基片进行离子束刻蚀；

所述磁控溅射镀膜密封室利用磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用磁控溅射靶在所述活性原子金属层上镀制导电金属层。

本实用新型实施例提供的导电膜的制备设备，在上载缓冲密封室内进行加热除气后可以将基片上附着的一些易挥发性杂质清理的更为干净，之后再通过离子束进行刻蚀，并且在刻蚀之后在磁控溅射镀膜密封室内利用磁控溅射方式进行导电层的镀制。利用磁控溅射镀导电金属层的时候需要先镀制一层活性原子金属层，然后再活性原子金属层上镀制一层导电金属层，这种方式可以保证导电金属层的与基片之间的附着力较高，相对于现有技术中化学沉铜来制作导电膜而言，本实用新型实施例提供的导电膜的制备方法和设备能够增加导电膜与基片之间的附着力。

并且本实用新型实施例相对于现有技术中直接对基片进行粗化处理的方式而言，本实用新型实施例中不需要进行粗化处理，使得导电膜不会出现粗糙现象，从而可以减少高频信号传输的能量损耗。

另外，现有技术中化学沉铜工艺过程中的废水排放到环境中，造成严重的环境污染，会危害到人类的生存与健康；采用本实用新型实施例后不会产生废水，不产生环境污染问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例1中一种导电膜的制备设备原理图；

图2为本实用新型实施例1中另一种导电膜的制备设备原理图；

图3为本实用新型实施例2中一种导电膜的制备方法的流程图；

图4为本实用新型实施例2中另一种导电膜的制备方法的流程图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供一种导电膜的制备方法和设备，该设备包括依次连接的上载缓冲密封室、离子束刻蚀密封室和磁控溅射镀膜密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；所述设备还包括分别对密封室抽真空的真空泵系统。在使用时，先通过上载缓冲密封室内对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的除气，然后将基片转移至离子束刻蚀密封室，利用离子束对加热除气后的基片进行离子束刻蚀，最后将基片转移至磁控溅射镀膜密封室，在磁控溅射镀膜密封室内利用磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用磁控溅射靶在所述活性原子金属层上镀制导电金属层。

本实用新型实施例中利用磁控溅射镀导电金属层的之前先镀制一层活性原子金属层，然后在活性原子金属层上镀制一层导电金属层，这种方式可以保证导电金属层的与基片之间的附着力较高，相对于现有技术中化学沉铜来制作导电膜而言，本实用新型实施例提供的导电膜的制备方法和设备能够增加导电膜与基片之间的附着力。