[实用新型]一种光电二极管芯片

权利要求书

1.一种光电二极管芯片，其特征在于，所述光电二极管芯片包括一个高阻材料做成的衬底；所述光电二极管芯片的N型重掺杂外延层生长在所述衬底的一个表面上；所述光电二极管芯片的N电极从所述N型重掺杂外延层引出，所述光电二极管从所述光电二极管的扩散区引出；所述N电极和P电极彼此分离，并且都延伸至所述表面的同一条边上。

2.如权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于，所述高阻材料的电阻率大于或等于1×10⁵Ω·cm。

3.如权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于，所述光电二极管芯片的P电极与所述光电二极管芯片的N型顶层、吸收层、所述N型重参杂外延层之间有绝缘涂覆层。

4.如权利要求1所述的光电二极管芯片，其特征在于，所述光电二极管的一个平面作为所述芯片在安装时的固定面；所述平面与所述表面垂直，并且所述表面和所述平面共享一条边，所述共享的一条边为所述表面中所述N电极和所述P电极所延伸触及的边。