[实用新型]一种光电二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及通信领域，尤其涉及一种光电二极管芯片。

背景技术

随着宽带网络需求日益增加，光纤通信得到快速发展，而光发射器件是光纤通信中核心器件之一，主要有半导体激光器LD和光电二极管PD。其中，LD用于输出光信号，PD是用于光功率检测，监控LD输出的光功率大小。

由于现在设备的体积向小型化的方向发展，也就要求光发射器件的封装尺寸越来越少，也进一步要求发射器件内部的元件(包括PD)缩小尺寸。

现有技术一中提供了一种用于监控LD光功率的PD装置，参见图1A所示，其包括：基板1，PD芯片3，过渡载体6。其中，2为基板上的金属布线，4为PD芯片3的光敏面，5为PD芯片的P(正)电极，6为过渡载体，7为过渡载体上的金属布线。参见图1B，PD芯片的背面(N电极，PD芯片中有光敏面的一面称之为正面)通过导电胶粘接在过渡载体6上，且该背面与过渡载体的金属布线7中的一个(图1B中较长的金属布线)粘接，通过金线压焊连接PD芯片3的P极(5)与过渡载体上的金属布线7中的另一个(图1B中较短的金属布线)，将过渡载体6垂直粘接在基板1上，通过金线压焊连接过渡载体上的金属布线7与基板上的金属布线2。被监测光信号从正面入射PD芯片的光敏面4，然后被转化为光电流。

现有技术二中还提供一种用于监控LD光功率的PD装置，采用边入射式结构，参见图2A，包括：边入射式PD芯片10，基板8。其中，9为基板的金属布线，12为PD芯片10的光敏面，11为PD芯片的P电极。PD芯片10的背面(N电极，PD芯片中有光敏面的一面称之为正面)与基板8的上表面粘接，且PD芯片10的背面与基板上的金属布线9中的一个(图2A中较长的金属布线)连接，通过金线压焊连接PD芯片3的P极11与基板上的金属布线9中的另一个(图2A中较短的金属布线)。如图2B所示，PD芯片10的侧面腐蚀一个凹面，被监测光信号入射到凹面后，经凹面折射后，进入吸收区转化为光电流。

但是，现有技术一中的装置由于需要载体，导致整个装置的体积过大，不利于小型化封装，并且过渡载体两面需要镀金导致成本过高，而且在装配的工艺复杂，需要两次导电胶粘接，两次金线压焊。现有技术二中的装置，由于是边入射，光耦合效率低，导致装置的响应度较低，而且其特殊的结构对PD制作工艺的要求高，从而也导致了制作PD芯片的成本较高。

实用新型内容

鉴于现有技术存在的缺陷，本实用新型提供光电二极管芯片，便于光发射器件的小型化封装。

本实用新型实施例提供一种光电二极管芯片，所述光电二极管芯片包括一个高阻材料做成的衬底；所述光电二极管芯片的N型重掺杂外延层生长在所述衬底的一个表面上；所述光电二极管芯片的N电极从所述N型重掺杂外延层引出，所述光电二极管从所述光电二极管的扩散区引出；所述N电极和P电极彼此分离，并且都延伸至所述表面的同一条边上。

本实用新型提供的光电二极管芯片，由于其采用高阻材料作为衬底，使得P电极和N电极可以位于光电二极管芯片的同一个面上，因此，该二极管芯片可以不需要过渡载体而直接安装在基板上，大大降低了封装的体积。同时，该二极管芯片的制作工艺简单，芯片成本低，而且还拥有同现有技术一中PD芯片一样的高响应度。

附图说明

图1A为现有技术一中PD装置的部件分解图；

图1B为现有技术一中PD装置的部件装配示意图；

图2A为现有技术二中PD装置的部件分解图；

图2B为现有技术二中PD装置的部件装配示意图；

图3A为本实用新型实施例提供的PD芯片的正视图；

图3B为本实用新型实施例提供的PD芯片的第一剖面图；

图3C为本实用新型实施例提供的PD芯片的第二剖面图；

图4A为本实用新型实施例提供的PD装置的部件分解图；

图4B为本实用新型实施例提供的PD装置的装配示意图。

具体实施方式

为了便于本领域一般技术人员理解和实现本实用新型，现结合附图描绘本实用新型的实施例。在此，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实施新型，但并不作为对本实用新型的限定。

本实用新型实施例提供一种光电二极管芯片，与现有的光电二极管芯片相比，其不同之处在于：本实用新型实施例提供的光电二极管芯片用高阻材料的衬底替代传统的金属衬底，并且P电极和N电极在光电二极管芯片的同一个面上。下面结合图3A、图3B、图3C，对本实用新型实施例提供的光电二极管芯片做进一步的描述。