[实用新型]热释电传感器封装结构无效

专利信息
申请号: 201020640905.2 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN201903401U 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 赵建国 申请(专利权)人: 赵建国
主分类号: G01J5/04 分类号: G01J5/04;G01J5/08
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 杨贤
地址: 741000 甘肃省天*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 热释电 传感器 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及热释电传感器封装技术,尤其涉及一种热释电传感器封装结构。

背景技术

热释电红外传感器(或称探测器)是一种利用热释电效应原理制成的非常有应用潜力的温度敏感传感器,它能检测人或某些动物发射的红外线并转换成电信号输出。近年来,伴随着集成电路技术的飞速发展以及对该传感器的特性的深入研究,相关的专用集成电路处理技术也迅速增长。目前,已经有很多电子设备生产商根据热释电红外传感器、尤其是被动式红外(Passive InfraRed,PIR)传感器的特性设计出了专用的信号处理器,比如HOLTEK HT761X、PTIPT8A26XXP、WELTREND WT8072、BISS0001,9803等,可应用于各种人体感应设备(如人体感应楼道灯等)。图1和图2示出了现有技术的热释电传感器封装结构,如图所示,现有技术的热释电传感器封装结构,主要包括有形成封闭式结构的底座11和外壳12、以及从底座11内部向下延伸出的引脚10。而所述封闭式结构内设置有电子器件13和固定该电子器件13的基座14、光学敏感元件15以及固定该光学敏感元件15的支撑架16,另外,在外壳12的上表面贴有滤光片17。其中,光学敏感元件15为热释电材料,电子器件13的作用是放大光学敏感元件15产生的热释电信号(有些产品内部并没有设置电子器件15及其基座16),而底座11和外壳12均采用金属材料制成、基座14为塑料或陶瓷结构。如图3所示,这种现有的热释电传感器封装结构在电路上应用时,为了达到更有效的聚焦作用、增加传感器的传感距离,往往会增设一个菲涅尔透镜18。菲涅尔透镜多是由聚烯烃材料注压而成的薄片,也有玻璃制作的,其镜片表面一面为光面,另一面刻录了由小到大的同心圆。其在很多时候相当于红外线及可见光的凸透镜,效果较好,但成本比普通的凸透镜低很多。菲涅尔透镜有两方面的作用:一是聚焦作用,即将热释红外信号折射(反射)在PIR传感器上;二是将探测区域内分为若干个明区和暗区,使进入探测区域的移动物体能以温度变化的形式在PIR传感器上产生变化热释红外信号,大大增加PIR传感器的灵敏性。

然而,发明人在实施本实用新型的过程中发现,作为热释电传感器的应用电路的一个元器件,热释电传感器封装结构的尺寸很小,而菲涅尔透镜尺寸比该封装结构的尺寸大很多,这不但浪费了菲涅尔透镜成本,且将菲涅尔透镜设置到电路应用产品的外壳上,设计和安装都较为麻烦。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种热释电传感器封装结构,该封装结构可使其应用产品无需额外增设菲涅尔透镜、光学滤光镜,节约菲涅尔透镜成本、并降低设计和该传感器封装难度。

本实用新型的进一步目的是提供一种热释电传感器封装结构,该封装结构更加简单,且集菲涅尔透镜、滤光、基本结构外壳三个功能于一体,非常实用。

为实现上述目的,本实用新型提供一种热释电传感器封装结构,包括有形成封闭式结构的底座和外壳,该封闭式结构内部设置有光学敏感元件和固定所述光学敏感元件的基座,所述外壳采用菲涅尔透镜材料制作而成,且其上表面为与所述光学敏感元件相匹配的滤光镜、菲涅尔透镜结构。

所述外壳采用的菲涅尔透镜材料中还添加了滤光材料。

所述滤光材料采用可透过4-14微米波长信号的滤光材料。

所述菲涅尔透镜材料为聚乙烯、陶瓷或玻璃材料。

所述外壳采用的菲涅尔透镜材料中还添加有抗老化材料。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的热释电传感器封装结构,其外壳采用添加了滤光材料的菲涅尔透镜材料,并在外壳上表面形成菲涅尔透镜结构,从而将滤光片、菲涅尔透镜都结合到了外壳上,从而使得封装结构更加简单、节约了菲涅尔透镜成本、并降低了其应用产品的设计和传感器封装难度。

为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

下面结合附图,通过对本实用新型的具体实施方式详细描述,将使本实用新型的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中,

图1是现有技术的热释电传感器封装结构的外观图;

图2是现有技术的热释电传感器封装结构的爆炸图;

图3是现有技术的热释电传感器封装结构的应用示意图;

图4是本实用新型的热释电传感器封装结构的外观图;

图5是本实用新型的热释电传感器封装结构的爆炸图;

图6是本实用新型的热释电传感器封装结构的剖面示意图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵建国,未经赵建国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020640905.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top