[实用新型]运放芯片内部温度的测控装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及温度测控领域，具体涉及一种利用三极管的温度特征对运放芯片内部温度的测控装置。

背景技术

目前，我们知道三极管是一种对温度十分敏感的元件。当温度每升高1°C，Ube约下降–2 mV/°C, b 值约增加 0.5%-1 %, Icbq 大致将增加一倍。利用这一特征，可在精密测量电压电流时，温度的控制便显得更加重要，但在公开的技术中，没有利用三极管的温度特征同时对运放芯片内部温度进行测控装置。

发明内容

本实用新型的目的是克服了现有技术中的没有利用三极管的温度特征同时对运放芯片内部温度进行测控装置，提供了一种可对运放芯片内部温度进行测控的装置。

为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现：

一种运放芯片内部温度的测控装置，包括温度采集模块、单片机、运算放大器、被测控运放芯片、数码管及旋钮，其特征在于，所述的单片机的温度输入端口与温度采集模块的信号连接；所述的单片机的显示输出端口与数码管连接；所述的单片机的温度控制端口与运算放大器的反相输入端连接；所述的单片机温度设置端口与旋钮连接；所述的被测控运放芯片包括2个或2个以上的三极管，其中运算放大器的同相输入端与被测控运放芯片中用于测量温度的三极管连接，运算放大器的输出端口与被测控运放芯片中用于控制温度的三极管连接。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型实现的装置能自由控制运放芯片内部温度，同时能测量运放芯片内部真实温度。可以测试芯片的精确度和工作能力，消除温度变化对该芯片造成的误差，提高芯片的安全性，该装置结构简单，易于生产。

附图说明

图1是本实用新型的运放芯片内部温度的测控装置的结构图。

具体实施方式

下面结合附图给出具体实施例，进一步对本实用新型进行详细说明。

如图1所示本实用新型的运放芯片内部温度的测控装置的结构图，一种运放芯片内部的温度测控装置，包括温度采集模块1、单片机2、运算放大器3、被测控运放芯片4、数码管5及旋钮6，所述的单片机2的温度输入端口与温度采集模块1的信号连接；所述的单片机2的显示输出端口与数码管5连接；所述的单片机2的温度控制端口与运算放大器3的反相输入端连接；所述的单片机2的温度设置端口与旋钮6连接；所述的被测控运放芯片4包括2个或2个以上的三极管，其中运算放大器3的同相输入端口与被测控运放芯片4中用于测量温度的三极管连接，运算放大器3的输出端口与被测控运放芯片4中用于控制温度的三极管连接。其中单片机2作为主处理器控制整个装置；温度采集模块1采集被测控运放芯片4温度；数码管5用于显示芯片4内部真实温度，旋钮6控制被测控运放芯片4的加热；运算放大器3用于被测控运放芯片4温度和旋钮6输入所需要的温度进行比较，其中被测控运放芯片4至少由两个三极管组成，分别用于测量温度和加热，其余三极管用于正常工作，利用三极管的温度特征和三极管工作线性区域的耗散功率对其进行测温和加热。

本实用新型中涉及的未说明部份与现有技术相同或采用现有技术加以实现。