[实用新型]恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器无效
申请号: | 201020649206.4 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN201898652U | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 王珍;王平;陈大力;何荣国 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
主分类号: | H05B41/295 | 分类号: | H05B41/295;H05B41/36 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 曲永祚 |
地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 控制 功率因数 荧光灯 电子镇流器 | ||
1.一种恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器,是由控制装置和荧光灯负载(6)所组成;其特征在于所述的控制装置是由滤波整流电路(1)、混合厚膜控制集成电路(2)、驱动变压器(3)、内电路供电变压器(4)、电感及电容式储能器(5)以及大功率MOS管控制电路(7)所组成;交流电源输入到滤波整流电路(1),之后进入到大功率MOS管控制电路(7),大功率MOS管控制电路(7)一端与驱动变压器(3)相连,另一端通过电感L1、L2、T3感器与荧光灯负载(6)相连,之后与电感及电容式储能器(5)相连构成回路;驱动变压器(3)与混合厚膜控制集成电路(2)相连,内电路供电变压器(4)将驱动变压器(3)和混合厚膜控制集成电路(2)相连。
2.根据权利要求1所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器,其特征在于所述的大功率MOS管控制电路(7)由上半桥开关FET1、FET2,下半桥开关FET3、FWT4;R70、R71、R72为上半桥偏置电阻,R75、R76、R77为下半桥偏置电阻;从R70和R76分别连接由D70、D71、R78、L4和R79、D72、D73、L3各自组成的波形整形电路,连接到驱动变压器(3);另外,C70、R74与C71、R73组成的分别为上下半桥开关管偏置电路。
3.根据权利要求1所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器,其特征在于所述的驱动变压器(3)初级由混合厚膜控制集成电路(2)的⑤、⑥两脚输出,次级为①②、③④两个隔离绕阻;另外,初级连接C30能量回收电容器。
4.根据权利要求1所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器,其特征在于所述的内电路供电变压器(4)初级一端接限流电阻R41至公共端,另一端经过整流二极管D40、滤波电容C41,连接至电源调整管GB1的极电板上,而后连接至驱动变压器(3)的初级端中间轴头上;由混合厚膜控制集成电路(2)经过限流电阻R40和公共端的滤波电容C40连接至GB1;内电路供电变压器(4)的次级连接C01、R01为输入回路分压器件。
5.根据权利要求1所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器,其特征在于所述的电感及电容式储能器(5)由电感储能器L3和由C50--C55、D50-D57、R50-R53组成的电容式储能器构成。
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