[实用新型]恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器

说明书

技术领域

本实用新型所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器涉及电子控制装置，具体涉及一种恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器。

背景技术

目前，现有的普通型荧光灯电子镇流器功率因数低，一般不超过0.6，易造成电网能量空耗；高功率因数型电子镇流器功率因数≥0.9，而波峰比为1.7～2.1；而对于高性能电子镇流器综合系数都很高，但是结构复杂，价格昂贵。由于上述可知，现存镇流器仅能在个别关键指标上重点突出优势。另外，当供电输入电压波动后，易引起灯功率变化，从而灯的亮度也发生变化，影响荧光灯使用寿命。针对上述现有技术中所存在的问题，研究设计一种新型的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器，从而克服现有技术中所存在的问题是十分必要的。

发明内容

鉴于上述现有技术中所存在的问题，本实用新型的目的是研究设计一种新型的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器，从而解决现有的普通型荧光灯电子镇流器功率因数低，易造成电网能量空耗；而对于高性能电子镇流器综合系数都很高，但是结构复杂，价格昂贵。另外，当供电输入电压波动后，易引起灯功率变化，从而灯的亮度也发生变化，影响荧光灯使用寿命等问题。

本实用新型所述的恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器是由控制装置和荧光灯负载所组成。所述的控制装置是由滤波整流电路、混合厚膜控制集成电路、驱动变压器、内电路供电变压器、电感及电容式储能器以及大功率MOS管控制电路所组成。交流电源输入到滤波整流电路，之后进入到大功率MOS管控制电路，大功率MOS管控制电路一端与驱动变压器相连，另一端通过电感L1、L2、T3互感器与荧光灯负载相连，之后与电感及电容式储能器相连构成回路；驱动变压器与混合厚膜控制集成电路相连，内电路供电变压器将驱动变压器和混合厚膜控制集成电路相连。本实用新型所述的大功率MOS管控制电路由上半桥开关FET1、FET2，下半桥开关FET3、FWT4；R70、R71、R72为上半桥偏置电阻，R75、R76、R77为下半桥偏置电阻；从R70和R76分别连接由D70、D71、R78、L4和R79、D72、D73、L3各自组成的波形整形电路，连接到驱动变压器；另外，C70、R74与C71、R73组成的分别为上下半桥开关管偏置电路。本实用新型所述的驱动变压器初级由混合厚膜控制集成电路的⑤、⑥两脚输出，次级为①②、③④两个隔离绕阻。另外，初级连接C30能量回收电容器。本实用新型所述的内电路供电变压器初级一端接限流电阻R41至公共端，另一端经过整流二极管D40、滤波电容C41，连接至电源调整管GB1的极电板上，而后连接至驱动变压器的初级端中间轴头上；由混合厚膜控制集成电路经过限流电阻R40和公共端的滤波电容C40连接至GB1。内电路供电变压器的次级连接C01、R01为输入回路分压器件。本实用新型所述的电感及电容式储能器由电感储能器L3和由C50--C55、D50-D57、R50-R53组成的电容式储能器构成。

本实用新型提了的一种恒功率控制、高功率因数的荧光灯电子镇流器，主要由滤波整流电路、混合厚膜控制集成电路、驱动变压器、内电路供电变压器、电感及电容式储能器、荧光灯负载以及大功率MOS管控制电路等器件依次连接组成。

FET1、FET2、FET3、FET4是大功率MOS管，其中FET1、FET2是上半桥开关，FET3、FET4是下半桥MOS开关管，R70、R71、R72为上半桥偏置电阻，R75、R76、R77为下半桥偏置电阻；从R70和R76分别连接由D70、D71、R78、L4和R79、D72、D73、L3各自组成的波形整形电路，连接到驱动变压器。另外，C70、R74与C71、R73组成的分别为上下半桥开关管偏置电路。通过0.033Ω的取样电阻R77连接到混合厚膜控制集成电路的占空比调节电路上。

T1是驱动变压器，初级由混合厚膜控制集成电路的⑤、⑥两脚输出，次级为①②、③④两个隔离绕阻。另外，初级连接C30能量回收电容器。

T2是内电路供电变压器，由D40二极管整流后，将该输出电压经C41滤波后加到GB1电源调整管的极电集上，经稳压后，加到驱动变压器的初级端中间轴头上，另一端连接至混合厚膜控制集成电路。

混合厚膜控制集成电路内含有基准电压、波形发生器、驱动电路、占空比取样电路、功率检测电路及频率调节电路等。