[实用新型]一种光器件封装中气密性封装结构无效

专利信息
申请号: 201020660950.4 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN201877437U 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 方才生 申请(专利权)人: 厦门市贝莱通信设备有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;G02B6/42
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 李宁
地址: 361009 福建省厦门市湖里*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 器件 封装 气密性 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及光器件的封装领域,更具体的说涉及一种光器件封装中气密性封装结构。

背景技术

光器件在实际使用中,往往需要经过封装,才能达到较佳的使用效果。如图1所示,其示出的为现有技术中对探测器2的一种常用封装结构4,其包括管座41以及垫在管座41上并与管座41电性连接且供探测器2设置于其上的垫块42,该垫块42具体采用的为氮化铝(AlN)垫块,从而具有散热和导电的功效;该管座41具体又包括管脚411和管盘412,该管盘412周缘罩设有密封罩43,该密封罩43与管盘412之间封焊相连,而该密封罩43与光纤3间则通过锡焊而实现相连,由此实现对探测器2与光纤3之间的封装,确保探测器2与光纤3之间具有合适的距离。

上述封装结构4确能实现对探测器2的封装,但是,对于探测器2来说,漏电流的大小是影响其探测性能和使用寿命的一个重要指标,一般来说,产生漏电流的原因主要包括因探测器2的本身结构产生、因PN结而产生以及因表面钠离子移动而形成的表面漏电流,而对于因探测器2结构本身以及因PN结产生的漏电流很难实现减少,对于表面漏电流,其大小会与探测器2所处环境的气密性息息相关,当探测器2所处环境气密性不佳时,该探测器2的表面漏电流往往较大。而现有技术中的封装结构4,其在密封罩43与光纤3之间采用的为锡焊技术,由此将使得探测器2所处环境的气密性无法得到保证,即具有表面漏电流大的缺陷,从而使得封装形成的探测器2具有探测性能低以及使用寿命短的缺陷。

有鉴于此,本发明人针对现有气密性封装结构4的上述缺陷深入研究,遂有本案产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光器件封装中气密性封装结构,以解决现有技术封装气密性不佳而造成芯片性能低以及使用寿命短的问题。

为了达成上述目的,本实用新型的解决方案是:

一种光器件封装中气密性封装结构,包括管座,该管座具有供芯片设置并与芯片电性连接的管盘以及连接在管盘上的管脚,其中,该管盘周缘焊接相连有TO帽,该TO帽上端具有球透镜而供接收光纤发出的光信号。

进一步,该气密性封装结构还包括外封装件,该外封装件两端分别将管体与光纤进行封装相连而使光纤与管体之间呈现为固定距离。

进一步,该光纤通过钢包针而套合在外封装件内。

进一步,该芯片为探测器。

采用上述结构后,本实用新型涉及的一种光器件封装中气密性封装结构,其通过TO帽与管盘之间的焊接固定,使得整个芯片能保证处于一个密闭性环境中,即保证了芯片的气密性封装,从而能最大程度上减少漏电流,进而确保整个芯片能具有较佳的性能以及较长的使用寿命。

附图说明

图1为现有技术中一种封装结构的结构示意图;

图2为本实用新型涉及的一种光器件封装中气密性封装结构的结构示意图;

图3为图2中TO帽与管盘部分的剖视图。

图中:

气密性封装结构  1         管座            11

管盘            111      管脚            112

TO帽           12        球透镜         121

外封装件        13       钢包针          14

探测器          2        光纤            3

封装结构        4        管座            41

管脚            411      管盘            412

垫块            42       密封罩          43。

具体实施方式

为了进一步解释本实用新型的技术方案,下面通过具体实施例来对本实用新型进行详细阐述。

如图2至图3所示,其示出的为本实用新型涉及的一种光器件封装中气密性封装结构1,其包括管座11,该管座11具有管盘111和管脚112,该管盘111供芯片设置于其上,并还与芯片电性连接,该管脚112则连接在管盘111上;当然其亦可以如背景技术所述而设置有垫片(图中未示出),该芯片在本实施例中为探测器2,上述结构均有现有技术中的特征相同,故不对其进行再次详细描述,下面对本实用新型的改进点进行详细阐述:

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