[实用新型]3D眼镜模拟开关驱动电路有效

申请号：	201020682468.0	申请日：	2010-12-27
公开（公告）号：	CN201904771U	公开（公告）日：	2011-07-20
发明（设计）人：	于大超;郄勇;李卫国;叶鑫	申请（专利权）人：	潍坊歌尔科技有限公司
主分类号：	H03K17/687	分类号：	H03K17/687
代理公司：	北京鸿元知识产权代理有限公司 11327	代理人：	陈英俊
地址：	261031 山东省潍坊市奎文区（潍坊出口加工区）玉清东街以***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	眼镜模拟开关驱动电路
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【权利要求书】：

1.一种模拟开关驱动电路，其特征在于，该模拟开关驱动电路包括至少一个驱动电路单元，所述驱动电路单元包括场效应晶体管和两个电阻，其中，

在所述场效应晶体管为NMOS型场效应晶体管时，其中一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地，另一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的漏极相连，所述NMOS型场效应晶体管的源极和衬底接地；并且，在所述NMOS型场效应晶体管的栅极和漏极之间还并联连接有一ESD管，在漏极和源极之间反向并联了一个二极管；

在所述场效应晶体管为PMOS型场效应晶体管时，其中一个电阻连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间，另一个电阻与所述PMOS型场效应晶体管的源极相连接地，所述PMOS型场效应晶体管的源极和衬底相连；并且，在所述PMOS型场效应晶体管的漏极和源极之间反向并联了一个二极管。

2.如权利要求1所述的模拟开关驱动电路，其特征在于，

所述模拟开关驱动电路包括1～5个驱动电路单元。

3.如权利要求1所述的模拟开关驱动电路，其特征在于，

与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地的电阻阻值为0.5兆欧到1.2兆欧。

4.如权利要求3所述的模拟开关驱动电路，其特征在于，

与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地的电阻阻值为1兆欧。

5.如权利要求1所述的模拟开关驱动电路，其特征在于，

连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间的电阻阻值为0.5兆欧到1.2兆欧。

6.如权利要求1所述的模拟开关驱动电路，其特征在于，

连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间的电阻阻值为1兆欧。

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