[实用新型]3D眼镜模拟开关驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及3D眼镜模拟开关控制技术领域，更为具体地，涉及一种3D眼镜模拟开关的驱动电路。

背景技术

现在通用的3D眼镜通常包括红外同步信号接收器、红外同步信号解码器、信号控制单元、模拟开关和左右液晶镜片，采用以视频的红外同步信号控制左右液晶镜片交替的打开和闭合的方式来实现显示视频图像的立体成像，因此，如何保障画面与镜片开关的同步就成为3D眼镜实现立体成像的技术重点。

在3D眼镜的应用过程中，对左、右镜片进行交替的打开和闭合的控制是3D眼镜能够实现立体视频的关键，其中，根据红外同步信号生成的触发控制左、右镜片交替的打开和闭合的模拟开关的信号至关重要。

图1为现有技术中常用的3D眼镜模拟开关芯片的电路结构示意图，其对应的单通道结构框图如图2所示。由于3D眼镜产品本身的功能、功耗、成本等要求，具体3D眼镜中应用的模拟开关需要满足以下参数条件：

1、在12V电源的支持下，开启电阻的最大值为80欧姆；

2、通道间阻抗差异最大为4欧姆；

3、内部场效应晶体管的漏电流小于2nA(1nA＝10^-9A)。

为了满足上述3D眼镜模拟开关需要的参数条件，只能使用音频模拟开关(Audio Analog switch)，对芯片的参数要求比较高，芯片厂家的选择范围也很小，这就导致了3D眼镜产品成本的增加。

因此，需要提供一种既能够满足3D眼镜的产品需求、又能够应用常用的逻辑转换(Logic shift)芯片作为3D眼镜的模拟开关的解决方案。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种3D眼镜模拟开关驱动电路，包括至少一个驱动电路单元，所述驱动电路单元包括场效应晶体管和两个电阻，其中，

在所述场效应晶体管为NMOS型场效应晶体管时，其中一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地，另一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的漏极相连，所述NMOS型场效应晶体管的源极和衬底接地；并且，在所述NMOS型场效应晶体管的栅极和漏极之间还并联连接有一ESD管，在漏极和源极之间反向并联了一个二极管；

在所述场效应晶体管为PMOS型场效应晶体管时，其中一个电阻连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间，另一个电阻与所述PMOS型场效应晶体管的源极相连接地，所述PMOS型场效应晶体管的源极和衬底相连；并且，在所述PMOS型场效应晶体管的漏极和源极之间反向并联了一个二极管。

此外，优选的结构是，所述模拟开关驱动电路包括1～5个驱动电路单元。

再者，优选的结构是，与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地的电阻阻值为0.5兆欧到1.2兆欧；连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间的电阻阻值为0.5兆欧到1.2兆欧。

利用上述根据本实用新型的3D眼镜模拟开关驱动电路，可以在保障3D眼镜产品需求的前提下，选用常用的逻辑转换芯片作为控制3D眼镜左右镜片交替打开和闭合的模拟开关，从而使作为模拟开关的芯片选择范围扩大、成本降低并且功耗降低。

为了实现上述以及相关目的，本实用新型的一个或多个方面包括后面将详细说明并在权利要求中特别指出的特征。下面的说明以及附图详细说明了本实用新型的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本实用新型的原理的各种方式中的一些方式。此外，本实用新型旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为现有技术中常用的3D眼镜模拟开关芯片的电路结构示意图；

图2为图1对应的单通道结构框图；

图3为本实用新型中NMOS型场效应晶体管构成的模拟开关驱动电路单元的结构示意图；

图4为本实用新型中PMOS型场效应晶体管构成的模拟开关驱动电路单元的结构示意图；

图5为应用本实用新型的单通道结构框图；

图6为应用图3所示模拟开关驱动电路单元的实施例一的电路结构示意图；

图7为应用图3所示模拟开关驱动电路单元的实施例二电路结构示意图。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。