[实用新型]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。对于小图形，其分辨率受晶圆表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对淀积薄膜的质量要求也越来越高，其厚度的均匀性不仅会影响到下步工艺的正常进行，也会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。

所谓淀积是指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，薄膜淀积的方法有化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)法两大类。其中，化学气相沉积是将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室，并在所述反应室中发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面，聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复合产物、淀积速率高，以及淀积的各种薄膜具有良好的阶梯覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。

请参考图1，其为现有的化学气相沉积设备的示意图。如图1所示，化学气相沉积设备1包括反应腔室10和设置于所述反应腔室10内的加热台11，此外，还包括喷头12，所述喷头12设置于所述反应腔室10内，通过所述喷头12可将反应气体喷洒至置于所述加热台11上的晶圆100表面，从而在所述晶圆100表面淀积形成薄膜。

经过一段时间的使用后，加热台11表面将会沉积一定的杂质颗粒，此种杂质颗粒往往不会在整个加热台11表面均匀分布，由此导致加热台11表面不平整，并最终导致置于所述加热台11上的晶圆100表面不平，即具有一定的倾斜。从而，当所述喷头12将反应气体喷洒至晶圆100表面时，由于反应气体至晶圆100表面各处的路径长度不同，将导致晶圆100表面各处的薄膜厚度不均，即经历路径短的地方，薄膜厚度比较厚；经历路径长的地方，薄膜厚度比较薄。

由于晶圆100表面的薄膜均匀度对于晶圆的可靠性非常重要，因此，需要调整晶圆100至喷头12的距离，使得晶圆100表面各处至喷头12的距离相等，并最终能在晶圆100表面形成一层厚度均匀的薄膜。

对于现有的化学气相沉积设备1，需要打开反应腔室10，清洗加热台11表面，使得加热台11表面平整；或者，调整喷头12，使得喷头12与晶圆100具有相同的倾斜角度。不管哪种方式，都首先需要打开反应腔室10，由于反应腔室10对内部的洁净度与压力都有要求，从而使得调整晶圆100至喷头12间的距离十分困难。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积设备，以解决现有的化学气相沉积设备不能在反应腔室关闭的情况下调整晶圆至喷头间的距离的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔室和设置于所述反应腔室内的加热台，还包括高度调节装置，所述高度调节装置包括支撑装置和用以调节所述支撑装置高度的调节装置，所述支撑装置包括支撑端和连接端，所述支撑端穿过所述反应腔室，并位于所述反应腔室的底壁和所述加热台之间，所述连接端固定在所述调节装置上，所述调节装置固定在所述反应腔室的外表面。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述高度调节装置与所述反应腔室之间通过一密封装置密封连接。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述密封装置为动态金属密封圈。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述支撑装置为陶瓷杆。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述支撑端穿过所述反应腔室的底壁。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述调节装置为螺母调节装置。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述高度调节装置的数量为多个。

可选的，在所述的化学气相沉积设备中，所述高度调节装置的数量为三个，三个所述高度调节装置的支撑端呈三角形分布。

通过本实用新型提供的化学气相沉积设备，当晶圆各处至喷头间的距离不相等的时候，可通过调节装置调节支撑装置的高度，使得所述支撑装置的支撑端能够撑起相应位置的加热台，并最终调节晶圆的位置，使得晶圆各处至喷头间的距离相等。所述调节装置固定于反应腔室的外表面，由此，调整晶圆至喷头间的距离时，便无需打开反应腔室，使得晶圆至喷头间的距离调整十分方便。