[实用新型]减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构无效
| 申请号： | 201020686543.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202034154U | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杭晓伟;彭秋平;张祯;江石根;谢卫国 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C13/00 | 分类号： | H01C13/00;H01C1/14 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 孙东风 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 制作 工艺 弯曲 电阻 阻值 影响 结构 | ||
1.一种减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：在电阻弯曲布置于芯片上时，其弯折处形成有第一弯折区，第二弯折区，以及形成于第一弯折区和第二弯折区间的弯折相间区；该弯折相间区的面积大于或等于0.5个方块。
2.一种如权利要求1所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻具有两个电阻头，当电阻在芯片上经过一定的制作工艺后，所述每一电阻头的宽度大于电阻体的宽度，且电阻头与电阻体间形成的弯折相间区的面积大于0.5个方块。
3.一种如权利要求2所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻的两个电阻头延伸至电阻的弯折阵列之外。
4.一种如权利要求2所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻的两个电阻头在电阻的弯折阵列之外相向靠近延伸而成。
5.一种如权利要求1所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻具有两个电阻头，当电阻在芯片上经过一定的制作工艺后，所述每一电阻头的宽度大于电阻体的宽度，且电阻头与电阻体间形成的弯折相间区的面积等于0.5个方块。
6.一种如权利要求5所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻的两个电阻头延伸至电阻的弯折阵列之外。
7.一种如权利要求5所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻的两个电阻头在电阻的弯折阵列之外相向靠近延伸而成。
8.一种如权利要求1所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述第一弯折区和第二弯折区的面积为0.56个方块。
9.一种如权利要求1所述的减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：所述电阻经过至少一次的90度弯折。
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