[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，具备：

平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；

第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；

第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；

半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及

隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，

所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，

在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，

形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。

2.一种发光装置，具备：

平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；

第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；

第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；

半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及

隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，

所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，

在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，

所述凹部的侧面具有没有形成与所述半导体性中间层同一材料的层的区域，

所述半导体性中间层和形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层，通过在所述凹部的侧面被没有形成与所述半导体性中间层同一材料的层的区域断开。

3.根据权利要求2所述的发光装置，

所述凹部的侧面为进入到了所述第一下部电极层和所述第二下部电极层各自的下方的形状。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置，

在所述第一下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第一透明导电膜形成的层，

在所述第二下部电极层，在所述半导体性中间层侧包括由第二透明导电膜形成的层，

所述半导体性中间层形成在由所述第一透明导电膜形成的层上和由所述第二透明导电膜形成的层上。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，

在所述基板与所述平坦化膜之间形成有薄膜晶体管层，

所述平坦化膜形成在所述薄膜晶体管层上。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，具备：

第一发光层，形成在所述第一下部电极层的上方所述半导体性中间层上；和

第二发光层，形成在所述第二下部电极层的上方所述半导体性中间层上，

所述隔壁区划所述第一发光层和所述第二发光层。

7.根据权利要求6所述的发光装置，

具备形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上方的上部电极层。

8.根据权利要求6所述的发光装置，

所述上部电极层为阴极层。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的发光装置，

所述第一下部电极层和所述第二下部电极层为阳极层，

所述半导体性中间层为空穴注入层。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的发光装置，

所述凹部的深度大于形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚。