[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置及其制造方法。

背景技术

近年来，研究、开发了有机电致发光(有机EL)显示装置(例如，参照专利文献1、2)。有机EL显示装置具有以子像素(sub pixel)为单位设置了有机EL元件的结构，每个有机EL元件利用固体荧光性物质的电致发光现象来进行自发光。使用图19来说明现有技术涉及的有机EL显示装置的结构。

如图19所示，在有机EL显示装置中，在基板900上形成有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)层(在图中仅图示了作为其一部分的源极901a)，在其上形成有钝化膜902和平坦化膜903。进一步，在平坦化膜903上以与各子像素对应的状态形成有阳极层910。下部电极层(阳极层)910具有金属层9101和透明导电层9102的层叠结构，通过接触孔904与TFT层的源极901a连接。

下部电极层910是如第一下部电极层910a和第二下部电极层910b这样按每个子像素而设置的。即，在相邻的子像素中，第一下部电极层910a的第一金属层9101a和第一透明导电层9102a与第二下部电极层910b的第二金属层9101b和第二透明导电层9102b相互电分离。

在下部电极层910以及子像素间的平坦化膜903上，依次层叠形成有发光层叠体920、上部电极层(阴极层)930以及密封层931。发光层叠体920包括从平坦化膜903的上面侧起依次层叠的半导体性中间层921、发光层922、电子注入层924、隔壁923。隔壁923按每个子像素区划发光层922。具体而言，通过隔壁923区划出第一下部电极层910a上的发光层922a和第二下部电极层910b上的发光层922b。

专利文献1：日本特开平11-54286号公报

专利文献2：日本特开2004-192890号公报

发明内容

但是，如图19中的箭头D所示，在现有技术涉及的有机EL显示装置中，由于半导体性中间层921形成在整个面板上，因此会在相邻的子像素的下部电极层910(第一下部电极层910a和第二下部电极层910b)之间流动泄流电流，会发生串扰(crosstalk，色度亮度干扰)。

在图19中作为现有技术以有机EL显示装置为一个例子，但是包括有机EL显示装置的发光装置也会产生同样的问题。

本发明是为了谋求解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制相邻的下部电极层之间的泄露电流、能够有效地防止发生串扰的发光装置及其制造方法。

为了实现上述目的，本发明的一个方式的发光装置采用以下结构。

本发明的一个方式的发光装置，具备：平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。

在本发明的一个方式的发光装置中，在第一下部电极层与第二下部电极层之间的平坦化膜设置有凹部。平坦化膜中的凹部比平坦化膜的其他部分的上面下沉，在凹部的上面形成有与半导体性中间层同一材料的层。并且，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间膜同一材料的层的端部的膜厚比其中央部的膜厚薄。

在本发明的一个方式的发光装置中，由于上述的与半导体性中间层同一材料的层的膜厚的关系，在形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层的端部，导电性降低。因此，在本发明的一个方式的发光装置中，形成在平坦化膜的凹部的上面的、与半导体性中间层同一材料的层成为实质上不电连接第一下部电极层和第二下部电极层的状态，能防止第一下部电极层与第二下部电极层之间的泄露电流。

因此，在本发明的一个方式的发光装置中，能够有效地防止发生串扰。

附图说明

图1是表示实施方式1的有机EL显示装置1的整体结构的示意框图。

图2是表示有机EL显示装置1的显示面板10的示意性鸟瞰图。