[发明专利]用于制造LCD的光致抗蚀剂剥离组合物有效
申请号: | 201080001518.7 | 申请日: | 2010-08-19 |
公开(公告)号: | CN102216855A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 崔好星 | 申请(专利权)人: | LTC有限公司;崔好星 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 lcd 光致抗蚀剂 剥离 组合 | ||
技术领域
本发明涉及用于所有的LCD(液晶显示器)的制造工艺的光致抗蚀剂剥离组合物,更具体而言,本发明涉及作为弱碱性复合物的具有良好的环境友好性的光致抗蚀剂剥离组合物,所述组合物含有水和叔烷醇胺。所述组合物具有良好的抑制铜铝配线腐蚀的能力并具有良好的除去光致抗蚀剂的能力。
背景技术
在平板显示器(PFD)的制造过程中,光刻工艺广泛用于在基板上形成均匀图案。该光刻工艺由包括曝光工序、干式或湿式蚀刻工序以及灰化工序的一系列工序构成。通常,通过在基板上涂布光致抗蚀剂并使其曝光,然后进行干式或湿式蚀刻工序来形成图案。此时,使用光致抗蚀剂剥离剂除去残留在金属线上的光致抗蚀剂。
迄今为止,伯胺或仲胺与极性溶剂或二醇的混合物主要用作用于制造LCD的光致抗蚀剂剥离组合物。具体而言,单乙醇胺(MEA)用作伯胺,异丙醇胺(MIPA)等用作仲胺,N-甲基吡咯烷酮(NMP)、环丁烯砜、二甲亚砜(DMSO)等用作极性溶剂。此外,二乙二醇单乙醚(EDG)、二乙二醇单丁醚(BDG)、三乙二醇醚(TEG)等用作二醇。
通常,使用剥离剂剥除蚀刻工序后残留的光致抗蚀剂,然后用水洗涤。然而,该工序带来的问题在于,由于光致抗蚀剂的再附着所致而产生杂质。
这就是烷醇胺与水混合,接着生成氢氧根离子,由此对含有铝的金属的腐蚀明显增加的原因。因此,需要一种特殊的腐蚀抑制剂来防止金属线的腐蚀。然而,先前的腐蚀抑制剂的问题在于,因其生产成本较高导致经济效率较低。特别是,在制造如LCD等平板显示器时,平板的正面尺寸近来变得更大,因而剥离剂的使用增加,由此导致加工成本不可避免的增大。
平板的正面尺寸变得更大时用铜来代替铝作为金属线的材料。但是,这样做带来的问题是,先前的剥离剂不能同时应用于铜和铝。换言之,在TFT-LCD工艺中,迄今为止还没有任何光致抗蚀剂剥离剂能够应用于全部的Al工艺、Cu工艺、闸工艺(Gate process)和COA(阵列上彩色滤光片)工艺。
为了解决这些问题,本发明人尝试开发全水性光致抗蚀剂剥离剂,即,使用因其极弱的剥离光致抗蚀剂的性能而未用作剥离剂的叔烷醇胺。水性光致抗蚀剂剥离剂防止Al和Cu金属线的腐蚀,具有良好的除去光致抗蚀剂的能力并可用于所有的Al工艺、Cu工艺、有机膜工艺和COA工艺。
发明内容
技术问题
为解决上述问题,提供了本发明。本发明的一个技术目的是开发全水性光致抗蚀剂剥离剂,其通过使用叔烷醇胺而防止了Al和Cu金属线的腐蚀,具有良好的除去光致抗蚀剂的能力并可用于所有的Al工艺、Cu工艺、有机膜工艺和COA工艺。
本发明的一个目的是提供一种光致抗蚀剂剥离组合物,所述组合物使用叔烷醇胺和水以及合适的有机溶剂,其中叔烷醇胺因其极弱的剥离性能而尚未用作剥离剂。该剥离剂组合物不会腐蚀铜线,并且绝对不会损害在COA(阵列上彩色滤光片)工艺中曝光的彩色光阻,而且可应用于现有的工艺(Al工艺和闸工艺),也就是说可应用于所有的工艺。
详细地说,本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物包含(a)1重量%~20重量%的式(1)的叔烷醇胺化合物;(b)1重量%~60重量%的水;和(c)20重量%~98重量%的有机溶剂,所述有机溶剂形成4~6元环的饱和或不饱和的烃链,该烃链具有一个以上的氧原子并由羟基(C1-C5)烷基取代基取代:
其中,R是直链或支链的C1-C6亚烷基,X是OH或H。
技术方案
本发明提供一种用于制造LCD的光致抗蚀剂剥离组合物,所述组合物包含:
(a)1重量%~20重量%的式(1)的叔烷醇胺化合物;
(b)1重量%~60重量%的水;和
(c)20重量%~98重量%的有机溶剂,所述有机溶剂形成4~6元环的饱和或不饱和的烃链,该烃链具有一个以上的氧原子并由羟基(C1-C5)烷基取代基取代:
其中,
R是直链或支链的C1-C6亚烷基,且
X是OH或H。
可用于本发明的叔烷醇胺能够取代现有的光致抗蚀剂剥离剂中包含的会腐蚀和损害金属线及有机膜或彩色光阻的伯胺、仲胺化合物。
详细地说,可用于本发明的叔烷醇胺(例如,甲基二乙醇胺)是弱碱,对金属线的腐蚀极小,这归因于其自身独特的结构。例如,铜线通常因与伯胺、仲胺形成配位键而被腐蚀,该作用机制由下列化学方程式表示。
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