[发明专利]具有集成位线电容的NAND闪存

权利要求书

1.一种从包含排列成行和列的多个非易失性存储单元的存储器阵列输出数据的方法，所述方法包括：

将电荷储存于连接至所述存储器阵列的易失性存储单元中；以及

从所述易失性存储单元经由所述非易失性存储单元的选定列释放所储存的电荷。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放电步骤进一步包括利用所释放的电荷来感测在所述选定列中的选定非易失性存储单元的编程状态。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括，在使用步骤期间将耦合到所述易失性存储单元的易失性单元字线置为有效，以将所述电荷储存于所述易失性存储单元的电容器中，以及将分别耦合到所述选定列中的不同的非易失性存储单元的多条非易失性字线置为有效，以从所述电容器经由所述选定列释放所述电荷。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述储存步骤期间，电压源耦合到所述易失性存储单元的电容器以储存所述电荷，且在所述释放步骤期间，所述电压源从所述电容器解耦。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括提供与非易失性存储单元的存储器阵列毗邻的一行所述易失性存储单元的先验步骤，其中各个易失性存储单元分别耦合到不同列的所述非易失性存储单元。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述易失性存储单元被表征为动态随机存取存储器(DRAM)单元，而沿着所述存储器阵列的各个列的所述非易失性存储单元被表征为以NAND结构连接的闪存单元。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沿所述存储器阵列中的各个列的所述非易失性存储单元包括以NAND结构连接的闪存单元。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在释放步骤期间，附加电荷被储存于耦合到所述存储器阵列的第二选定列的第二易失性存储单元中。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，一行非易失性存储单元被耦合到所述存储器阵列，其中各个存储单元连接到相应的列。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，储存在所述易失性存储单元中的所述电荷提供选定大小的电容性电压，且在其中所述非易失性存储单元的选定行被读取的页面模式读取操作期间，所述选定大小的电容性电压被分别施加于所述易失性存储单元中的每一个。

11.一种装置，包括：

存储器阵列，所述存储器阵列包括排列成行和列的多个非易失性存储单元；以及

连接到所述存储器阵列的一行易失性存储单元，其中储存于选定易失性存储单元的电荷从所述选定易失性存储单元经由所述存储器阵列的关联列释放。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，读取电路利用所释放的电荷来感测所述关联列中的选定非易失性存储单元的编程状态。

13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，耦合到所述那行易失性存储单元的易失性单元字线的置为有效将电压源耦合到所述选定易失性存储单元的电容器以将所述电荷储存于所述电容器上，且其中在所述电荷经由所述关联列放电期间，所述电压源从所述电容器解耦合。

14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，当所述电荷经由所述关联列从所述易失性存储单元放电时，多条非易失性单元字线被置为有效，所述多条非易失性单元字线中的各条非易失性单元字线被耦合到所述关联列中不同的非易失性存储单元。

15.如权利要求11所述的装置，其特征在于，电荷分别被储存在各个非易失性存储单元中，随后经由所述存储器阵列的相应列从所述各个非易失性存储单元放电，以读出沿所述存储器阵列的选定列的所述非易失性存储单元各自的编程状态。

16.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述易失性存储单元被表征为动态随机存取存储器(DRAM)单元，而沿着所述存储器阵列的各个列的所述非易失性存储单元被表征为以NAND结构连接的闪存单元。

17.如权利要求11所述的装置，其特征在于，当电荷经由所述关联列从所述选定的易失性存储单元释放时，附加电荷被储存于沿着所述那行易失性存储单元的第二选定易失性存储单元中。